Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 55, № 7.— 2012.— [С. 34-40] |
|---|---|
| Egile nagusia: | |
| Erakunde egilea: | |
| Beste egile batzuk: | , |
| Gaia: | Заглавие с экрана В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN(0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок -в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Hizkuntza: | errusiera |
| Argitaratua: |
2012
|
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://elibrary.ru/item.asp?id=18040643 |
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648192 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648192 | ||
| 005 | 20250219154836.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13349 | ||
| 090 | |a 648192 | ||
| 100 | |a 20160512d2012 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) |d Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures |f Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, А. Н. Разжувалов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 15 назв.] | ||
| 330 | |a В рамках метода огибающих функций рассмотрены различные условия их сшивания на гетерограницах GaN/InGaN(0001). Обычно используются условия сшивания, при которых для состояний в центре плоской зоны Бриллюэна функции сшиваются с функциями, а производные с производными. В этом случае огибающие функции обладают симметрией (антисимметрией) относительно центра квантовой ямы. Такого не должно быть в анизотропных нитридных гетероструктурах. Предложены условия сшивания, основанные на псевдопотенциальных расчетах. Эти условия качественно отличаются от обычно используемых и приводят к разрывам огибающих функций на гетерограницах, а также к снятию упомянутой выше симметрии даже без учета встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Огибающие функции электронов оказываются сдвинутыми относительно центра квантовой ямы в направлении гексагональной оси [0001], а огибающие функции дырок -в противоположном направлении. Рассмотренные нами разные условия сшивания приводят к энергетическим уровням в яме, отличающимся друг от друга в пределах нескольких миллиэлектронвольт. Важные для оптических характеристик интегралы перекрывания огибающих функций электронов и дырок различаются незначительно при использовании разных условий сшивания, однако некоторые из них становятся ненулевыми за счет снятия искусственной симметрии. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 55, № 7 |v [С. 34-40] |d 2012 | ||
| 510 | 1 | |a Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a огибающие поверхности | |
| 610 | 1 | |a квантовые ямы | |
| 700 | 1 | |a Караваев |b Г. Ф. |g Геннадий Федорович | |
| 701 | 1 | |a Чернышов |b В. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического универсиета, кандидат физико-математических наук |f 1947- |g Виктор Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36513 |9 19562 | |
| 701 | 1 | |a Разжувалов |b А. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Александр Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656 |9 17300 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Физико-технический институт |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18726 |9 27175 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160512 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=18040643 | |
| 942 | |c CF | ||