Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2

Bibliografiset tiedot
Parent link:	Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники/ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР).— , 1997- № 2 (26), ч. 2.— 2012.— [С. 145-151]
Yhteisötekijä:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики
Muut tekijät:	Торхов Н. А. Николай Анатольевич, Бабак Л. И. Леонид Иванович, Божков В. Г. Владимир Григорьевич, Разжувалов А. Н. Александр Николаевич, Сальников А. С. Андрей Сергеевич
Yhteenveto:	Заглавие с экрана Описаны и исследованы возможности программной системы Sentaurus TCAD Synopsys при физическом моделировании HEMT-наногетероструктур и СВЧ-транзисторов. Представлены результаты моделирования различных конструкций AlGaN/GaN HEMT-наногетероструктур с двумерным электронным газом, а также мощных СВЧ-транзисторов на основе этих гетероструктур. Показаны пути улучшения характеристик AlGaN/GaN HEMT-гетероструктур и приборов. Результаты моделирования подтверждены экспериментальным измерением параметров изготовленных тестовых GaN HEMT-транзисторов с длиной затвора 1 мкм. Possibilities of the software tool Sentaurus TCAD Synopsys for physical simulation of HEMT-nanoheterostructures and microwave transistors are described and investigated. Simulation results of various AlGaN/GaN HEMT-nanoheterostructure constructions with two-dimensional electron gas as well as high-power microwave transistors based on these heterostructures are presented. The ways for improving characteristics of AlGaN/GaN HEMT-heterostructures and devices are shown. The simulation results are confirmed by experimental measurement of produced test GaN HEMT-transistors with a gate length of 1 micron. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Kieli:	venäjä
Julkaistu:	2012
Aiheet:	электронный ресурс труды учёных ТПУ GAN вольт-амперные характеристики
Linkit:	http://elibrary.ru/item.asp?id=18900092 http://old.tusur.ru/filearchive/reports-magazine/2012-26-2/145.pdf
Aineistotyyppi:	Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648184