Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
| Parent link: | Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники/ Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР).— , 1997- № 2 (26), ч. 2.— 2012.— [С. 145-151] |
|---|---|
| Autor Corporativo: | |
| Outros Autores: | , , , , |
| Resumo: | Заглавие с экрана Описаны и исследованы возможности программной системы Sentaurus TCAD Synopsys при физическом моделировании HEMT-наногетероструктур и СВЧ-транзисторов. Представлены результаты моделирования различных конструкций AlGaN/GaN HEMT-наногетероструктур с двумерным электронным газом, а также мощных СВЧ-транзисторов на основе этих гетероструктур. Показаны пути улучшения характеристик AlGaN/GaN HEMT-гетероструктур и приборов. Результаты моделирования подтверждены экспериментальным измерением параметров изготовленных тестовых GaN HEMT-транзисторов с длиной затвора 1 мкм. Possibilities of the software tool Sentaurus TCAD Synopsys for physical simulation of HEMT-nanoheterostructures and microwave transistors are described and investigated. Simulation results of various AlGaN/GaN HEMT-nanoheterostructure constructions with two-dimensional electron gas as well as high-power microwave transistors based on these heterostructures are presented. The ways for improving characteristics of AlGaN/GaN HEMT-heterostructures and devices are shown. The simulation results are confirmed by experimental measurement of produced test GaN HEMT-transistors with a gate length of 1 micron. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
2012
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://elibrary.ru/item.asp?id=18900092 http://old.tusur.ru/filearchive/reports-magazine/2012-26-2/145.pdf |
| Formato: | Recurso Eletrônico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648184 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 648184 | ||
| 005 | 20250219152649.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\13341 | ||
| 090 | |a 648184 | ||
| 100 | |a 20160512d2012 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys |d Physical simulation of GaN/AlGaN HEMT-heterostructures and power microwave transistors using Synopsys software |f Н. А. Торхов [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 150 (4 назв.)] | ||
| 330 | |a Описаны и исследованы возможности программной системы Sentaurus TCAD Synopsys при физическом моделировании HEMT-наногетероструктур и СВЧ-транзисторов. Представлены результаты моделирования различных конструкций AlGaN/GaN HEMT-наногетероструктур с двумерным электронным газом, а также мощных СВЧ-транзисторов на основе этих гетероструктур. Показаны пути улучшения характеристик AlGaN/GaN HEMT-гетероструктур и приборов. Результаты моделирования подтверждены экспериментальным измерением параметров изготовленных тестовых GaN HEMT-транзисторов с длиной затвора 1 мкм. | ||
| 330 | |a Possibilities of the software tool Sentaurus TCAD Synopsys for physical simulation of HEMT-nanoheterostructures and microwave transistors are described and investigated. Simulation results of various AlGaN/GaN HEMT-nanoheterostructure constructions with two-dimensional electron gas as well as high-power microwave transistors based on these heterostructures are presented. The ways for improving characteristics of AlGaN/GaN HEMT-heterostructures and devices are shown. The simulation results are confirmed by experimental measurement of produced test GaN HEMT-transistors with a gate length of 1 micron. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники |f Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) |d 1997- | ||
| 463 | |t № 2 (26), ч. 2 |v [С. 145-151] |d 2012 | ||
| 510 | 1 | |a Physical simulation of GaN/AlGaN HEMT-heterostructures and power microwave transistors using Synopsys software |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a GAN | |
| 610 | 1 | |a вольт-амперные характеристики | |
| 701 | 1 | |a Торхов |b Н. А. |g Николай Анатольевич | |
| 701 | 1 | |a Бабак |b Л. И. |g Леонид Иванович | |
| 701 | 1 | |a Божков |b В. Г. |g Владимир Григорьевич | |
| 701 | 1 | |a Разжувалов |b А. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Александр Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33656 |9 17300 | |
| 701 | 1 | |a Сальников |b А. С. |g Андрей Сергеевич | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Физико-технический институт |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18726 |9 27175 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20160512 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=18900092 | |
| 856 | 4 | |u http://old.tusur.ru/filearchive/reports-magazine/2012-26-2/145.pdf | |
| 942 | |c CF | ||