Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики, Торхов Н. А. Николай Анатольевич, Бабак Л. И. Леонид Иванович, Божков В. Г. Владимир Григорьевич, Разжувалов А. Н. Александр Николаевич, & Сальников А. С. Андрей Сергеевич. (2012). Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2. 2012.
Cita Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики, Торхов Н. А. Николай Анатольевич, Бабак Л. И. Леонид Иванович, Божков В. Г. Владимир Григорьевич, Разжувалов А. Н. Александр Николаевич, i Сальников А. С. Андрей Сергеевич. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2. 2012, 2012.
Cita MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики, et al. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2. 2012, 2012.