Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики, Торхов Н. А. Николай Анатольевич, Бабак Л. И. Леонид Иванович, Божков В. Г. Владимир Григорьевич, Разжувалов А. Н. Александр Николаевич, & Сальников А. С. Андрей Сергеевич. (2012). Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2. 2012.
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики, Торхов Н. А. Николай Анатольевич, Бабак Л. И. Леонид Иванович, Божков В. Г. Владимир Григорьевич, Разжувалов А. Н. Александр Николаевич, and Сальников А. С. Андрей Сергеевич. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2. 2012, 2012.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра теоретической и экспериментальной физики, et al. Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2. 2012, 2012.