Synthesis, structure and characteristics of al-si-n coatings prepared by vacuum arc plasma-assisted method; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 55, № 12-2.— 2012.— [С. 162-165]
Erakunde egilea: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Beste egile batzuk: Koval N. N. Nikolay Nikolaevich, Ivanov Yu. F. Yuriy Fedorovich, Krysina O. V., Shugurov V. V.
Gaia:Заглавие с экрана
The experiments on synthesis of Al-Si-N coatings by vacuum-arc plasma-assisted deposition were carried out at a variation of bias voltage parameters. Optimum modes of deposition of these type coatings were revealed. It is shown that the coatings is multiphase, possesses nanocrystalline structure with the average crystallite size of d = (20.9 ± 7.3) nm.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2012
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:http://elibrary.ru/item.asp?id=20133334
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648169

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 648169
005 20250219150236.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\13326 
035 |a RU\TPU\network\13318 
090 |a 648169 
100 |a 20160512d2012 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Synthesis, structure and characteristics of al-si-n coatings prepared by vacuum arc plasma-assisted method  |f N. N. Koval [et al.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 7 назв.] 
330 |a The experiments on synthesis of Al-Si-N coatings by vacuum-arc plasma-assisted deposition were carried out at a variation of bias voltage parameters. Optimum modes of deposition of these type coatings were revealed. It is shown that the coatings is multiphase, possesses nanocrystalline structure with the average crystallite size of d = (20.9 ± 7.3) nm. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |d 1957- 
463 |t Т. 55, № 12-2  |v [С. 162-165]  |d 2012 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a нанокристаллическая структура 
610 1 |a прочность 
701 1 |a Koval  |b N. N.  |c specialist in the field of electronics  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1948-  |g Nikolay Nikolaevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34748  |9 18098 
701 1 |a Ivanov  |b Yu. F.  |c physicist  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of physical and mathematical sciences  |f 1955-  |g Yuriy Fedorovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33559  |9 17226 
701 1 |a Krysina  |b O. V. 
701 1 |a Shugurov  |b V. V. 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |c (2009- )  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\15902 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161017  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20133334 
942 |c CF