Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, Sambonsuge Sh. Shota, Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Hervieu Yu. Yu. Yuri Yurievich, Suemitsu M. Maki, & Filimonov S. N. Sergey Nikolaevich. (2014). Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 12. 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7
Style de citation Chicago (17e éd.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, Sambonsuge Sh. Shota, Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Hervieu Yu. Yu. Yuri Yurievich, Suemitsu M. Maki, et Filimonov S. N. Sergey Nikolaevich. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, Iss. 12. 2014, 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7.
Style de citation MLA (9e éd.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, et al. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, Iss. 12. 2014, 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7.