Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, Sambonsuge Sh. Shota, Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Hervieu Yu. Yu. Yuri Yurievich, Suemitsu M. Maki, & Filimonov S. N. Sergey Nikolaevich. (2014). Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth. 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7
Citazione stile Chigago Style (17a edizione)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, Sambonsuge Sh. Shota, Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Hervieu Yu. Yu. Yuri Yurievich, Suemitsu M. Maki, e Filimonov S. N. Sergey Nikolaevich. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth. 2014, 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7.
Citatione MLA (9a ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, et al. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth. 2014, 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7.