Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, Sambonsuge Sh. Shota, Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Hervieu Yu. Yu. Yuri Yurievich, Suemitsu M. Maki, & Filimonov S. N. Sergey Nikolaevich. (2014). Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 12. 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, Sambonsuge Sh. Shota, Nikitina L. N. Larisa Nikolaevna, Hervieu Yu. Yu. Yuri Yurievich, Suemitsu M. Maki, and Filimonov S. N. Sergey Nikolaevich. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, Iss. 12. 2014, 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра экспериментальной физики, et al. Silicon Carbide on Silicon (110): Surface Structure and Mechanisms of Epitaxial Growth; Russian Physics Journal; Vol. 56, Iss. 12. 2014, 2014. https://doi.org/10.1007/s11182-014-0197-7.