Результаты исследований использования многомерного подхода при моделировании процессов в полевых транзисторах; Современные научные исследования и инновации; № 10 (54)

Бібліографічні деталі
Parent link:Современные научные исследования и инновации: научно-практический журнал.— , 2011-
№ 10 (54).— 2015.— [С. 21-29]
Автор: Багутдинов Р. А. Равиль Анатольевич
Співавтор: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт кибернетики Кафедра инженерной графики и промышленного дизайна
Резюме:Заглавие с экрана
В данной работе приведены результаты параметрических исследований при разных значениях заданного потенциала на электроде для концентрации и скорости. Показан характер изменения проводимости канала в зависимости от приложенного напряжения на затворе, вызванный краевыми эффектами.
This paper presents the results of parametric studies for different values given potential on the electrode to concentration and speed. It shows behavior of the conduction channel, depending on the applied gate voltage caused by edge effects.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Мова:Російська
Опубліковано: 2015
Серія:Физико-математические науки
Предмети:
Онлайн доступ:http://elibrary.ru/item.asp?id=24918563
http://web.snauka.ru/issues/2015/10/57975
Формат: Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647716

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 647716
005 20250214153356.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\12862 
090 |a 647716 
100 |a 20160420d2015 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Результаты исследований использования многомерного подхода при моделировании процессов в полевых транзисторах  |d The results of studies on the use of the multidimensional approach to the modeling of processes in the field-effect transistors  |f Р. А. Багутдинов 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Физико-математические науки 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 12 назв.] 
330 |a В данной работе приведены результаты параметрических исследований при разных значениях заданного потенциала на электроде для концентрации и скорости. Показан характер изменения проводимости канала в зависимости от приложенного напряжения на затворе, вызванный краевыми эффектами. 
330 |a This paper presents the results of parametric studies for different values given potential on the electrode to concentration and speed. It shows behavior of the conduction channel, depending on the applied gate voltage caused by edge effects. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Современные научные исследования и инновации  |o научно-практический журнал  |d 2011- 
463 |t № 10 (54)  |v [С. 21-29]  |d 2015 
510 1 |a The results of studies on the use of the multidimensional approach to the modeling of processes in the field-effect transistors  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a полевые транзисторы 
610 1 |a моделирование процесса 
610 1 |a краевые эффекты 
700 1 |a Багутдинов  |b Р. А.  |c специалист в области инженерной графики и начертательной геометрии  |c ассистент кафедры Томского политехнического университета  |f 1985-  |g Равиль Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36360  |9 19431 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Институт кибернетики  |b Кафедра инженерной графики и промышленного дизайна  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18737  |9 27186 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160420  |g RCR 
856 4 0 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=24918563 
856 4 0 |u http://web.snauka.ru/issues/2015/10/57975 
942 |c CF