Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка

Bibliographic Details
Parent link:	Ученые записки физического факультета Московского университета: научный журнал.— , 2012- № 5.— 2015.— [8 c., 155501]
Main Author:	Олешко В. И. Владимир Иванович
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники
Other Authors:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Summary:	Заглавие с экрана Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений и пространственного распределения микрозон свечения по поверхности светодиодных гетероструктур InGaN/GaN различной предыстории после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Показано, что локальные микрозоны свечения, регистрируемые на фоне однородной катодолюминесценции в текстурированных образцах, формируются в результате отражения стимулированного излучения от локальных микроразрушений. Обнаружено, что в эпитаксиальных слоях GaN с высокой плотностью дислокаций 109 см-2 при многоимпульсном облучении электронным пучком с плотностью энергии H - 0.2 Дж/см2 формируются фигуры Лихтенберга. Интерпретация полученных результатов дана на основе представлений об электроразрядном механизме разрушения диэлектриков и полупроводников под действием сильноточных электронных пучков.Сделано предположение о влиянии стимулированной люминесценции на размножение микроразрушений, в процессе многоимульсного облучения гетероструктур электронным пучком. Визуализация дефектных областей вследствие локализации в этих зонах электрического пробоя может быть положена в основу метода диагностики электрических микронеоднородностей, образующихся в светодиодных гетероструктурах при выращивании. We present the results of experimental studies of the destruction morphology and the spatial distribution of light emission micro-areas on the surface of LED heterostructures InGaN/GaN of different prehistory after multipulse high-current electron beam irradiation. It is shown that local light emission micro-areas, registered on the background of homogeneous cathodoluminescence in textured samples, are formed due to reflection of stimulated emission from local microfractures. It is found that Lichtenberg figures are formed in GaN epitaxial layers with a high dislocation density of 109 cm-2 under multipulse irradiation of electron beam with an energy density H 0.2 J/cm2. Interpretation of the results is given on the basis of ideas about electric-discharge mechanism of destruction of insulators and semiconductors under the action of high-current electron beams. We suggest that stimulated luminescence effects on the microfractures multiplication during multipulse irradiation of heterostructures by high-current electron beam. Visualization of defective areas due to localization of electrical breakdown in these areas can be the basis of a diagnostic method of electrical microheterogeneities formed in LED heterostructures during growth. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:	Russian
Published:	2015
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светодиодные гетероструктуры эпитаксиальные слои сильноточные электронные пучки многоимпульсное облучение электронные пучки
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=25294446& http://uzmu.phys.msu.ru/abstract/2015/5/155501
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647126