Накопление центров окраски в кристаллах LiF, LiF-TiO2, LiF-WO3 при низких температурах; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 6-2

Dettagli Bibliografici
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 58, № 6-2.— 2015.— [С. 147-151]
Autore principale: Корепанов В. И. Владимир Иванович
Ente Autore: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра лазерной и световой техники
Altri autori: Петикарь П. В. Павел Викторович
Riassunto:Заглавие с экрана
В температурном диапазоне 20-100 К исследованы процессы накопления F-, V k -пар в «чистых» и содержащих примеси TiO 2 и WO 3 кристаллах LiF после облучения наносекундными импульсами электронов со средней энергией 250 кэВ в пределах поглощенных доз до 25000 Гр. Показано, что увеличение эффективности накопления F-, V k -пар в примесных кристаллах происходит только на первой (быстрой) стадии. Уменьшение эффективности накопления F-,V k -пар во всех кристаллах происходит в одинаковом температурном интервале при Т = 60 К.
Processes of F -, V k -pair accumulation in pure LiF crystals and those containing TiO 2 and WO 3 impurities are investigated after irradiation with nanosecond pulses of electrons with an average energy of 250 keV in the range of the absorbed doses up to 25.000 Gy over the temperature range of 20-100. Increase in the efficiency of F -, V k -pair accumulation in the impurity crystals is shown to occur only at the first (fast) stage. Decrease in the efficiency of F -, V k -pair accumulation in all the crystals occurs in the same temperature range at T = 60 K.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:russo
Pubblicazione: 2015
Soggetti:
Accesso online:http://elibrary.ru/item.asp?id=24449570
Natura: Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647098

Documenti analoghi