Критическая эмиссия двумерных электронов из диэлектрика в вакуум, индуцированная инжекцией в образец плотного наносекундного электронного пучка
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 51, № 8.— 2008.— [С. 61-66] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Разработана теоретическая модель критической электронной эмиссии диэлектриков, индуцированной инжекцией пучков электронов умеренной и высокой плотности и наносекундной длительности. Построена численная реализация модели, которая описывает основные свойства эмиссии: возникновение явления при достижении определенного значения плотности инжектированного в образец заряда; задержку импульса эмиссии от импульса облучения до нескольких десятков наносекунд; коэффициент эмиссии, достигающий 1; пространственную неоднородность эмиссии. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=11614471 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647085 |
| Summary: | Заглавие с экрана Разработана теоретическая модель критической электронной эмиссии диэлектриков, индуцированной инжекцией пучков электронов умеренной и высокой плотности и наносекундной длительности. Построена численная реализация модели, которая описывает основные свойства эмиссии: возникновение явления при достижении определенного значения плотности инжектированного в образец заряда; задержку импульса эмиссии от импульса облучения до нескольких десятков наносекунд; коэффициент эмиссии, достигающий 1; пространственную неоднородность эмиссии. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|