Эффект Пуля - Френкеля в диэлектрике при наносекундном облучении электронным пучком умеренной и высокой плотности тока
| Источник: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 51, № 12.— 2008.— [С. 10-16] |
|---|---|
| Главный автор: | Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич |
| Другие авторы: | Евдокимов К. Е. Кирилл Евгеньевич |
| Примечания: | Заглавие с экрана Процессы захвата и освобождения с ловушек во многом определяют интенсивные процессы, возникающие в диэлектрике с задержкой 1-100 не относительно импульса облучения мощным наносекундным электронным пучком, такие, как мощная электронная эмиссия, электрический разряд по поверхности и в объеме диэлектрика, электрический пробой. Построена модель ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике в сильном электрическом поле. Модель учитывает: 1) энергетический спектр заряженного донорного центра в диэлектрике; 2) квазиклассическую плотность состояний в донорном центре; 3) спонтанное испускание фононов электроном в центре; 4) рост кинетической энергии (разогрев) электрона во внешнем электрическом поле; 5) туннелирование электрона через потенциальный барьер и отражение от барьера в зависимости от напряженности внешнего поля; 6) термические флуктуации энергии электрона в центре. Проведен расчет вероятности в единицу времени ионизации заряженного донорного центра в диэлектрике. В слабых полях зависимость вероятности ионизации от поля почти совпадает с таковой для теории Пуля - Френкеля. В сильных полях решающим является вклад разогрева электрона во внешнем электрическом поле. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Опубликовано: |
2008
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://elibrary.ru/item.asp?id=11734306 |
| Формат: | Электронный ресурс Статья |
| Запись в KOHA: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647072 |
Схожие документы
"Мгновенное" распределение ионизационно-пассивных электронов и дырок в диэлектрике при облучении интенсивным электронным или лазерным пучком
по: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Опубликовано: (2004)
по: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Опубликовано: (2004)
Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3
Опубликовано: (2002)
Опубликовано: (2002)
Влияние термического сопротивления контакта диэлектрик-металл на температурное поле в диэлектрике при облучении ионным пучком
по: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Опубликовано: (2001)
по: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Опубликовано: (2001)
Аппаратура для измерения электропроводности диэлектриков при облучении электронным пучком высокой энергии
по: Кузнецов С. А.
Опубликовано: (1964)
по: Кузнецов С. А.
Опубликовано: (1964)
Ларчик можно не открывать. Квантовый туннельный эффект. Полвека загадок и открытий
по: Работнов Н. С. Николай Семенович
Опубликовано: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)
по: Работнов Н. С. Николай Семенович
Опубликовано: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)
О роли туннелирования в наноконтактах металл-полупроводник
по: Востоков Н. В.
Опубликовано: (2004)
по: Востоков Н. В.
Опубликовано: (2004)
Влияние нестационарных и многочастичных эффектов на туннелирование электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.01.04.04
по: Соколовский Д. Г. Дмитрий Георгиевич
Опубликовано: (Томск, 1985)
по: Соколовский Д. Г. Дмитрий Георгиевич
Опубликовано: (Томск, 1985)
Принципы электронной туннельной спектроскопии
по: Вольф Е. Л.
Опубликовано: (Киев, Наук. думка, 1990)
по: Вольф Е. Л.
Опубликовано: (Киев, Наук. думка, 1990)
Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
по: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Опубликовано: (2018)
по: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Опубликовано: (2018)
Особенности магнитных свойств наносистем учебно-методическое пособие
по: Лихачев Е. Р.
Опубликовано: (Воронеж, ВГУ, 2020)
по: Лихачев Е. Р.
Опубликовано: (Воронеж, ВГУ, 2020)
Резонансное туннелирование электронов через виртуальные интерференционные состояния, формирующиеся вследствие отражения от границы сильнолегированной области CaAs
по: Ханин Ю. Н.
Опубликовано: (2004)
по: Ханин Ю. Н.
Опубликовано: (2004)
Матрица переноса фрактального потенциала в форме канторовой лестницы
по: Чуприков Н. Л.
Опубликовано: (2003)
по: Чуприков Н. Л.
Опубликовано: (2003)
Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
по: Ли Цзысюань
Опубликовано: (2018)
по: Ли Цзысюань
Опубликовано: (2018)
Влияние собственного поля электронов и Г-Х-междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах
по: Караваев Г. Ф.
Опубликовано: (2003)
по: Караваев Г. Ф.
Опубликовано: (2003)
Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
по: Серов А. Ю.
Опубликовано: (2004)
по: Серов А. Ю.
Опубликовано: (2004)
Development of Requirements for a Basic Standardized Mathematical Model of Geokhod
Опубликовано: (2016)
Опубликовано: (2016)
Reliability assessment of tunneling flow charts
Опубликовано: (2015)
Опубликовано: (2015)
Нестационарные и хаотические процессы
по: Трубецков Д. И.
Опубликовано: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2009)
по: Трубецков Д. И.
Опубликовано: (Москва, ФИЗМАТЛИТ, 2009)
Квантовая система псевдоспинов и структурный переход в деформированном кристалле
по: Слядников Е. Е.
Опубликовано: (2003)
по: Слядников Е. Е.
Опубликовано: (2003)
Инстантонные пути для задачи о когерентном квантовом туннелировании в малых частицах ферромагнетика
по: Иванов В. А.
Опубликовано: (2004)
по: Иванов В. А.
Опубликовано: (2004)
Время-разрешенная оптическая спектроскопия сцинтилляционных кристаллов CSI(CO 3)
Опубликовано: (2015)
Опубликовано: (2015)
Резонансное туннелирование через двумерную наноструктуру с присоединенными проводниками
по: Гейлер В. А.
Опубликовано: (2003)
по: Гейлер В. А.
Опубликовано: (2003)
Особенности туннелирования в контактах малой площади
по: Хачатуров А. И.
Опубликовано: (2003)
по: Хачатуров А. И.
Опубликовано: (2003)
Резонансное туннелирование в сверхпроводящих переходах с различной симметрией параметра порядка
по: Гончаров Д. В.
Опубликовано: (2004)
по: Гончаров Д. В.
Опубликовано: (2004)
Неравновесная проводимость твердого диэлектрика в сильном электрическом поле при импульсном облучении плотным электронным пучком
по: Вайсбурд Д. И.
Опубликовано: (1986)
по: Вайсбурд Д. И.
Опубликовано: (1986)
Резонансное туннелирование электронов, взаимодействующих с фононами
по: Елесин В. Ф.
Опубликовано: (2003)
по: Елесин В. Ф.
Опубликовано: (2003)
Общие сведения о торкретировании как о методе крепления горных выработок
по: Ким В. В.
Опубликовано: (2019)
по: Ким В. В.
Опубликовано: (2019)
Квантовые решения в классической электродинамике и ее связь с геометродинамикой
по: Ласуков В. В. Владимир Васильевич
Опубликовано: (2020)
по: Ласуков В. В. Владимир Васильевич
Опубликовано: (2020)
Электрическая прочность твёрдых диэлектриков при облучении импульсным электронным пучком
по: Куликов В. Д.
Опубликовано: (2002)
по: Куликов В. Д.
Опубликовано: (2002)
Распределение доз в плоскости кристалла при облучении электронным пучком
по: Руденко В. Н.
Опубликовано: (1963)
по: Руденко В. Н.
Опубликовано: (1963)
Лазер на "штарковской лестнице" с когеренной электронной подсистемой
по: Елесин В. Ф.
Опубликовано: (2003)
по: Елесин В. Ф.
Опубликовано: (2003)
Резонансное туннелирование и нелинейный отклик в высокочастотном поле
по: Елесин В. Ф.
Опубликовано: (2003)
по: Елесин В. Ф.
Опубликовано: (2003)
Туннельные явления в нанофизике
по: Аладышкин А. Ю.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020)
по: Аладышкин А. Ю.
Опубликовано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2020)
Квантовые эффекты при термодеполяризации в сложных кристаллах с водородными связями
Опубликовано: (2004)
Опубликовано: (2004)
Time cycle calculation procedure for the special crew during the mining mobile machine complex operation
по: Shmurygin V. A. Vladimir Aleksandrovich
Опубликовано: (2015)
по: Shmurygin V. A. Vladimir Aleksandrovich
Опубликовано: (2015)
Серебряная пуля роман
по: Атеев А. Г. Алексей Григорьевич
Опубликовано: (Москва, Эксмо, 2003)
по: Атеев А. Г. Алексей Григорьевич
Опубликовано: (Москва, Эксмо, 2003)
Кинетика роста трещины при облучении кристалла KCl наносекундным электронным пучком
по: Суржиков В. П. Владимир Петрович
Опубликовано: (1987)
по: Суржиков В. П. Владимир Петрович
Опубликовано: (1987)
Аппаратура для измерения доз в кристаллах при облучении электронным пучком
по: Кононов Б. А. Борис Александрович
Опубликовано: (1963)
по: Кононов Б. А. Борис Александрович
Опубликовано: (1963)
Исследование реологических свойств нефти при облучении импульсным сильноточным электронным пучком
Опубликовано: (2012)
Опубликовано: (2012)
Стохастическая механика
по: Дмитриев В. П. Валерий Павлович
Опубликовано: (Москва, Высш. шк., 1990)
по: Дмитриев В. П. Валерий Павлович
Опубликовано: (Москва, Высш. шк., 1990)
Схожие документы
-
"Мгновенное" распределение ионизационно-пассивных электронов и дырок в диэлектрике при облучении интенсивным электронным или лазерным пучком
по: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Опубликовано: (2004) -
Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NdSe3
Опубликовано: (2002) -
Влияние термического сопротивления контакта диэлектрик-металл на температурное поле в диэлектрике при облучении ионным пучком
по: Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич
Опубликовано: (2001) -
Аппаратура для измерения электропроводности диэлектриков при облучении электронным пучком высокой энергии
по: Кузнецов С. А.
Опубликовано: (1964) -
Ларчик можно не открывать. Квантовый туннельный эффект. Полвека загадок и открытий
по: Работнов Н. С. Николай Семенович
Опубликовано: (Москва, Энергоатомиздат, 1983)