Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons

Bibliografske podrobnosti
Parent link:	IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015).— 2016.— [012026, 5 p.]
Glavni avtor:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Korporativna značnica:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Drugi avtorji:	Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Izvleček:	Title screen The paper presents the results of studying characteristic deterioration of AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells. The research was completed for light emitting diodes (emission wavelengths 623 nm and 590 nm) under fast neutron irradiation in passive mode. It has been revealed that the change in emission power and operating current under irradiation is conditioned by band gap and level of electron injection. Here, the change of current flowing mechanism is a distinctive parameter of the boundary between the first and second stages of emission power reduction caused by fast neutron irradiation of AlGaInP heterostructures ([lambda]=625 nm). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jezik:	angleščina
Izdano:	2016
Teme:	электронный ресурс труды учёных ТПУ гетероструктуры облучение быстрые нейтроны квантовые ямы
Online dostop:	http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012026 http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18064
Format:	Elektronski Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647005

Podobne knjige/članki

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2013)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2015)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2018)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2014)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
od: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Izdano: (2014)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2016)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2019)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
od: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Izdano: (2012)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability
Izdano: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2014)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Izdano: (2013)

Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons
Izdano: (2022)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2018)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2019)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
od: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Izdano: (2012)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2015)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2015)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
od: Грушко Н. С.
Izdano: (2004)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Izdano: (2004)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2012)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation
od: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Izdano: (2014)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2012)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation
od: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Izdano: (2017)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
od: Серов А. Ю.
Izdano: (2004)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
od: Бактыбаев А. А.
Izdano: (2016)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах
od: Горбацевич А. А.
Izdano: (2003)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах
od: Васько Ф. Т.
Izdano: (2003)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
od: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Izdano: (2011)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
od: Филато Д. О.
Izdano: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Coherent bremsstrahlung from fast neutrons
od: Kunashenko Yu. P. Yuriy Petrovich
Izdano: (2011)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
od: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Izdano: (2013)

A Technique for Studying the Resistance of LEDS to Irradiation by Fast Neutrons at the IRT-T Reactor
Izdano: (2021)