Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)

Podrobná bibliografie
Parent link:	IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015).— 2016.— [012026, 5 p.]
Hlavní autor:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Korporativní autor:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Další autoři:	Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Shrnutí:	Title screen The paper presents the results of studying characteristic deterioration of AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells. The research was completed for light emitting diodes (emission wavelengths 623 nm and 590 nm) under fast neutron irradiation in passive mode. It has been revealed that the change in emission power and operating current under irradiation is conditioned by band gap and level of electron injection. Here, the change of current flowing mechanism is a distinctive parameter of the boundary between the first and second stages of emission power reduction caused by fast neutron irradiation of AlGaInP heterostructures ([lambda]=625 nm). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	2016
Témata:	электронный ресурс труды учёных ТПУ гетероструктуры облучение быстрые нейтроны квантовые ямы
On-line přístup:	http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012026 http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18064
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647005

Podobné jednotky

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2013)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2018)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2016)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2014)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2012)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2014)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2014)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Vydáno: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Autor: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Vydáno: (2012)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004)

The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability; Microelectronics Reliability; Vol. 65
Vydáno: (2016)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors; 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects; 18th International Conference on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter (18th RPC)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (Томск, 2013)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Vydáno: (2004)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
Autor: Серов А. Ю.
Vydáno: (2004)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
Autor: Бактыбаев А. А.
Vydáno: (2016)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
Autor: Васько Ф. Т.
Vydáno: (2003)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
Autor: Горбацевич А. А.
Vydáno: (2003)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Autor: Филато Д. О.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Destruction of LED heterostructures under high-current electron beam irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 511 : Perspective Materials of Constructional and Medical Purpose
Autor: Zixuan Li
Vydáno: (2019)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 830 : Energy Fluxes and Radiation Effects 2016
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2017)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: монография
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Vydáno: (Томск, 2012)

Effects of P-N Junction Built-In Electric Field on Ir-Led Resistance under Gamma Rays Irradiation; Applied Mechanics and Materials; Vol. 770 : Urgent Problems of Up-to-Date Mechanical Engineering
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12, ч. 3
Autor: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Vydáno: (2014)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной: учебное пособие
Autor: Шамирзаев Т. С. Тимур Сезгирович
Vydáno: (Томск, Изд-во ТПУ, 2013)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2013)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Vydáno: (2016)