Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation

Dades bibliogràfiques
Parent link:	IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015).— 2016.— [012025, 5 p.]
Autor principal:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Altres autors:	Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Sumari:	Title screen The results of research into degradation of volt-ampere characteristics of light emitting diodes produced on the base of AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells are presented on the example of light emitting diodes (emission wavelengths 623 nm and 590 nm) under gamma quantum and fast neutron radiation in passive powering mode. The shifts of volt-ampere characteristics into the higher voltage range have been observed in conditions of increasing neutron fluence and radiation dose. The observed increase in the resistance of ohmic contacts is caused by the rising resistance of adjacent area, which in its turn results from the changing mobility of charge carriers. The latter varies with the growth of introduced defects under irradiation. Two different areas of current generation have been identified. A mechanism of current generation depends on injected charge carriers in the range of mid-level electron injection. Moreover, the range of high electron injection is distinguished by changing resistance of light emitting diode cores alongside with current generation conditioned by charge carrier injection. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Publicat:	2016
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ вольт-амперные характеристики гетероструктуры квантовые ямы ионизирующие излучения светодиоды
Accés en línia:	http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012025 http://earchive.tpu.ru/handle/11683/18063
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647003

Ítems similars

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2019)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2014)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
per: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicat: (2012)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Publicat: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2019)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения
Publicat: (2019)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)

Моделирование дислокаций путем параллельного подключения
per: Потрепалов И. Д.
Publicat: (2019)

Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2017)

Разогрев 2D-электронов в скрещенных магнитном и электрическом полях
per: Кадушкин В. И.
Publicat: (2004)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2014)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Publicat: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)

Автоматизированный характериограф
per: Великанов Д. А.
Publicat: (2004)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Программо-управляемые модули для автоматизации измерений вольт-амперных характеристик цепочек переходов Джозефсона
Publicat: (2002)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Физические основы оптоэлектроники. Светодиоды учебное пособие
per: Рыбина Н. В.
Publicat: (Рязань, РГРТУ, 2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
per: Грушко Н. С.
Publicat: (2004)

The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Решение уравнений электродиффузии в квазистационарном приближении
per: Климачев Г. В.
Publicat: (2004)

Effects of P-N Junction Built-In Electric Field on Ir-Led Resistance under Gamma Rays Irradiation
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Publicat: (2004)

Статические характеристики диодных структур
per: Абидов М. А. Марат Алимович
Publicat: (Москва, Радио и связь, 1989)

Разработка метода нагрева электродов и измерения вольт-амперных характеристик термоэмиссионных многоэлементных ЭКГ в условиях петлевых испытаний
Publicat: (2003)