Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich, & Remnev G. E. Gennady Efimovich. (2016). The Influence of High-Power Ion Beams and High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Ceramic Silicon Carbide. 2016. https://doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012006
Citace podle Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich, a Remnev G. E. Gennady Efimovich. The Influence of High-Power Ion Beams and High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Ceramic Silicon Carbide. 2016, 2016. https://doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012006.
Citace podle MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), et al. The Influence of High-Power Ion Beams and High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Ceramic Silicon Carbide. 2016, 2016. https://doi.org/10.1088/1757-899X/110/1/012006.