Deposition of barrier layers of titanium nitride using dual magnetron

Deposition of barrier layers of titanium nitride using dual magnetron

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:Известия вузов. Физика/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1958-
V. 58, № 9-3.— 2015.— [P. 47-50]
المؤلف الرئيسي: Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich
مؤلف مشترك: Национальный исследовательский Томский политехнический университет
مؤلفون آخرون: Sidelev D. V. Dmitry Vladimirovich, Kiseleva D. V. Darjya Vasiljevna
الملخص:Title screen
This article presents original research of electrical and mechanical properties, phase structure of TiN thin films depending on deposition conditions. It is determined that optimal operation conditions are minimal value of «target-substrate» distance ( d s-t = 50 mm) and N 2 flow rate at 20-35 sccm. TiN films with (111)-crystallographic direction have a low level of microstrains. The minimal value of resistivity of TiN samples is 0.15 mOm•cm. TiN films can be used as barrier layers of integral microelectronic schemes for exclusion of diffusion of copper layer in insulator layer and subsequent corrosion.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
اللغة:الإنجليزية
منشور في: 2015
الموضوعات:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
барьерные слои
нитрид титана
магнетронное распыление
тонкие пленки
удельное сопротивление
الوصول للمادة أونلاين:http://elibrary.ru/item.asp?id=25225091
التنسيق: الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646748

مواد مشابهة

مواد مشابهة