Deposition of barrier layers of titanium nitride using dual magnetron; Известия вузов. Физика; V. 58, № 9-3

Deposition of barrier layers of titanium nitride using dual magnetron; Известия вузов. Физика; V. 58, № 9-3

Detalles Bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1958-
V. 58, № 9-3.— 2015.— [P. 47-50]
Autor Principal: Yuriev Yu. N. Yuri Nikolaevich
Autor Corporativo: Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Outros autores: Sidelev D. V. Dmitry Vladimirovich, Kiseleva D. V. Darjya Vasiljevna
Summary:Title screen
This article presents original research of electrical and mechanical properties, phase structure of TiN thin films depending on deposition conditions. It is determined that optimal operation conditions are minimal value of «target-substrate» distance ( d s-t = 50 mm) and N 2 flow rate at 20-35 sccm. TiN films with (111)-crystallographic direction have a low level of microstrains. The minimal value of resistivity of TiN samples is 0.15 mOm•cm. TiN films can be used as barrier layers of integral microelectronic schemes for exclusion of diffusion of copper layer in insulator layer and subsequent corrosion.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:inglés
Publicado: 2015
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
барьерные слои
нитрид титана
магнетронное распыление
тонкие пленки
удельное сопротивление
Acceso en liña:http://elibrary.ru/item.asp?id=25225091
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646748

Títulos similares

Títulos similares