Междолинное рассеяние электронов на фононах в кристаллах A[III]B[V]; Научно-технические ведомости СПБГПУ. Физико-математические науки; № 2 (77)
| Parent link: | Научно-технические ведомости СПБГПУ. Физико-математические науки.— , 1995- № 2 (77).— 2009.— [С. 34-38] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Altres autors: | , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Методом функционала электронной плотности из первых принципов рассчитаны параметры междолинного рассеяния электронов на фононах в бинарных полупроводниках. The parameters of intervalley electron-phonon scattering in the binary semiconductors are calculated from the first principles by the density functional theory. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2009
|
| Col·lecció: | Физика конденсированного состояния |
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://ntv.spbstu.ru/physics/article/P2.77.2009_06/ http://elibrary.ru/item.asp?id=12976982 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646300 |