Ab initio расчет деформационных потенциалов для междолинных переходов с участием фононов в кристаллах со структурой сфалерита

Podrobná bibliografie
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 52, № 7.— 2009.— [С. 78-83]
Hlavní autor:	Никитина Л. Н. Лариса Николаевна
Další autoři:	Обухов С. В. Сергей Владимирович, Тютерев В. Г. Валерий Григорьевич
Shrnutí:	Заглавие с экрана Для группы полупроводниковых кристаллов АIIIВV впервые проведен полностью самосогласованный расчет из первых принципов процессов рассеяния электронов между нижними долинами в зоне проводимости на коротковолновых фононах. Расчет структурных постоянных кристаллов, электронных, колебательных спектров и вероятностей рассеяния проведен с единых позиций в рамках метода функционала электронной плотности. Теория не содержит никаких феноменологических предположений, касающихся относительного положения минимумов в зоне проводимости, эффективных масс носителей, межатомных сил и вероятностей рассеяния. Рассчитаны константы электрон-фононной связи (деформационные потенциалы) для актуальных переходов Г - X , Г - L , X - L и рассеяния между неэквивалентными долинами X - X и L - L в зоне проводимости кристаллов AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb со структурой сфалерита. Результаты сравниваются с теоретическими расчетами в феноменологической модели жестких ионов и самосогласованном методе замороженных фононов. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Vydáno:	2009
Edice:	Физика полупроводников и диэлектриков
Témata:	электронный ресурс труды учёных ТПУ бинарные полупроводники самосопряженные системы электронно-фононное взаимодействие
On-line přístup:	http://elibrary.ru/item.asp?id=12954347
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646288