Ab initio расчет деформационных потенциалов для междолинных переходов с участием фононов в кристаллах со структурой сфалерита; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 7

Detalhes bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 52, № 7.— 2009.— [С. 78-83]
Autor principal: Никитина Л. Н. Лариса Николаевна
Outros Autores: Обухов С. В. Сергей Владимирович, Тютерев В. Г. Валерий Григорьевич
Resumo:Заглавие с экрана
Для группы полупроводниковых кристаллов АIIIВV впервые проведен полностью самосогласованный расчет из первых принципов процессов рассеяния электронов между нижними долинами в зоне проводимости на коротковолновых фононах. Расчет структурных постоянных кристаллов, электронных, колебательных спектров и вероятностей рассеяния проведен с единых позиций в рамках метода функционала электронной плотности. Теория не содержит никаких феноменологических предположений, касающихся относительного положения минимумов в зоне проводимости, эффективных масс носителей, межатомных сил и вероятностей рассеяния. Рассчитаны константы электрон-фононной связи (деформационные потенциалы) для актуальных переходов Г - X , Г - L , X - L и рассеяния между неэквивалентными долинами X - X и L - L в зоне проводимости кристаллов AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb со структурой сфалерита. Результаты сравниваются с теоретическими расчетами в феноменологической модели жестких ионов и самосогласованном методе замороженных фононов.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:russo
Publicado em: 2009
coleção:Физика полупроводников и диэлектриков
Assuntos:
Acesso em linha:http://elibrary.ru/item.asp?id=12954347
Formato: Recurso Eletrônico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646288

MARC

LEADER 00000nla0a2200000 4500
001 646288
005 20250402172214.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\11424 
090 |a 646288 
100 |a 20160220d2009 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Ab initio расчет деформационных потенциалов для междолинных переходов с участием фононов в кристаллах со структурой сфалерита  |f Л. Н. Никитина, С. В. Обухов, В. Г. Тютерев 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Физика полупроводников и диэлектриков 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 30 назв.] 
330 |a Для группы полупроводниковых кристаллов АIIIВV впервые проведен полностью самосогласованный расчет из первых принципов процессов рассеяния электронов между нижними долинами в зоне проводимости на коротковолновых фононах. Расчет структурных постоянных кристаллов, электронных, колебательных спектров и вероятностей рассеяния проведен с единых позиций в рамках метода функционала электронной плотности. Теория не содержит никаких феноменологических предположений, касающихся относительного положения минимумов в зоне проводимости, эффективных масс носителей, межатомных сил и вероятностей рассеяния. Рассчитаны константы электрон-фононной связи (деформационные потенциалы) для актуальных переходов Г - X , Г - L , X - L и рассеяния между неэквивалентными долинами X - X и L - L в зоне проводимости кристаллов AlP, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb со структурой сфалерита. Результаты сравниваются с теоретическими расчетами в феноменологической модели жестких ионов и самосогласованном методе замороженных фононов. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |d 1957- 
463 |t Т. 52, № 7  |v [С. 78-83]  |d 2009 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a бинарные полупроводники 
610 1 |a самосопряженные системы 
610 1 |a электронно-фононное взаимодействие 
700 1 |a Никитина  |b Л. Н.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1978-  |g Лариса Николаевна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\36233  |9 19310 
701 1 |a Обухов  |b С. В.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1984-  |g Сергей Владимирович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34192  |9 17726 
701 1 |a Тютерев  |b В. Г.  |g Валерий Григорьевич 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160220  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=12954347 
942 |c CF