Особенности формирования структуры ВЧ-магнетронных покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 12/2

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 56, № 12/2.— 2013.— [С. 240-245]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ) Центр технологий (ЦТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Other Authors: Шаронова А. А. Анна Александровна, Сурменев Р. А. Роман Анатольевич, Сурменева М. А. Мария Александровна, Иванова А. А. Анна Александровна, Грубова И. Ю. Ирина Юрьевна, Пичугин В. Ф. Владимир Федорович, Эппле М., Примак О.
Summary:Заглавие с экрана
Исследованы способы получения аморфной и кристаллич. структур покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита (ГА) в зависимости от условий напыления. Толщина ренгеноаморфного покрытия составляет 700-800 нм. Кристаллич. ГА-покрытие имеет толщину 400-600 нм и средний размер кристаллитов 27-30 нм. Увеличение показателя ИК-расщепления до 2,38 сопровождается ростом показателя преломления до 1,749. Установлено увеличение показателя преломления до 1,746 с ростом отношения Са/Р до 2,1 для покрытий, сформированных на подложке вне области активного распыления мишени (зона А). Выявлено близкое к стехиометрич. ГА отношение Са/Р = 1,6 в пленках, выращенных на подложке напротив зоны распыления материала мишени. Для получения однофазных пленок на основе ГА в случае стационарного подложкодержателя рекомендуется располагать образцы на подложке напротив зоны распыления мишени (зона В).
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:Russian
Published: 2013
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=21787080
Format: MixedMaterials Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646226

MARC

LEADER 00000nla0a2200000 4500
001 646226
005 20250402125153.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\11360 
035 |a RU\TPU\network\11356 
090 |a 646226 
100 |a 20160217d2013 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Особенности формирования структуры ВЧ-магнетронных покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита  |f А. А. Шаронова [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 245 (18 назв.)] 
330 |a Исследованы способы получения аморфной и кристаллич. структур покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита (ГА) в зависимости от условий напыления. Толщина ренгеноаморфного покрытия составляет 700-800 нм. Кристаллич. ГА-покрытие имеет толщину 400-600 нм и средний размер кристаллитов 27-30 нм. Увеличение показателя ИК-расщепления до 2,38 сопровождается ростом показателя преломления до 1,749. Установлено увеличение показателя преломления до 1,746 с ростом отношения Са/Р до 2,1 для покрытий, сформированных на подложке вне области активного распыления мишени (зона А). Выявлено близкое к стехиометрич. ГА отношение Са/Р = 1,6 в пленках, выращенных на подложке напротив зоны распыления материала мишени. Для получения однофазных пленок на основе ГА в случае стационарного подложкодержателя рекомендуется располагать образцы на подложке напротив зоны распыления мишени (зона В). 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |d 1957- 
463 |t Т. 56, № 12/2  |v [С. 240-245]  |d 2013 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a гидроксиапатит 
610 1 |a ВЧ-магнетронное распыление 
610 1 |a покрытия 
610 1 |a структура 
701 1 |a Шаронова  |b А. А.  |c физик  |c лаборант Томского политехнического университета  |f 1990-  |g Анна Александровна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30724  |9 14995 
701 1 |a Сурменев  |b Р. А.  |c физик  |c старший научный сотрудник Томского политехнического университета, доцент, кандидат физико-математических наук  |f 1982-  |g Роман Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25831  |9 11704 
701 1 |a Сурменева  |b М. А.  |c специалист в области материаловедения  |c инженер-исследователь Томского политехнического университета, старший научный сотрудник  |f 1984-  |g Мария Александровна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25832  |9 11705 
701 1 |a Иванова  |b А. А.  |c физик  |c инженер-исследователь Томского политехнического университета  |f 1986-  |g Анна Александровна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28588 
701 1 |a Грубова  |b И. Ю.  |c физик  |c инженер-исследователь Томского политехнического университета  |f 1989-  |g Ирина Юрьевна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30457  |9 14782 
701 1 |a Пичугин  |b В. Ф.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1944-  |g Владимир Федорович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25824 
701 1 |a Эппле  |b М. 
701 1 |a Примак  |b О. 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |b Центр технологий (ЦТ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\20620 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18726 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161219  |g RCR 
856 4 0 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21787080 
942 |c CF