Особенности формирования структуры ВЧ-магнетронных покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 56, № 12/2.— 2013.— [С. 240-245] |
|---|---|
| Coauteurs: | , |
| Andere auteurs: | , , , , , , , |
| Samenvatting: | Заглавие с экрана Исследованы способы получения аморфной и кристаллич. структур покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита (ГА) в зависимости от условий напыления. Толщина ренгеноаморфного покрытия составляет 700-800 нм. Кристаллич. ГА-покрытие имеет толщину 400-600 нм и средний размер кристаллитов 27-30 нм. Увеличение показателя ИК-расщепления до 2,38 сопровождается ростом показателя преломления до 1,749. Установлено увеличение показателя преломления до 1,746 с ростом отношения Са/Р до 2,1 для покрытий, сформированных на подложке вне области активного распыления мишени (зона А). Выявлено близкое к стехиометрич. ГА отношение Са/Р = 1,6 в пленках, выращенных на подложке напротив зоны распыления материала мишени. Для получения однофазных пленок на основе ГА в случае стационарного подложкодержателя рекомендуется располагать образцы на подложке напротив зоны распыления мишени (зона В). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Gepubliceerd in: |
2013
|
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21787080 |
| Formaat: | Elektronisch Hoofdstuk |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646226 |
| Samenvatting: | Заглавие с экрана Исследованы способы получения аморфной и кристаллич. структур покрытий на основе серебросодержащего гидроксиапатита (ГА) в зависимости от условий напыления. Толщина ренгеноаморфного покрытия составляет 700-800 нм. Кристаллич. ГА-покрытие имеет толщину 400-600 нм и средний размер кристаллитов 27-30 нм. Увеличение показателя ИК-расщепления до 2,38 сопровождается ростом показателя преломления до 1,749. Установлено увеличение показателя преломления до 1,746 с ростом отношения Са/Р до 2,1 для покрытий, сформированных на подложке вне области активного распыления мишени (зона А). Выявлено близкое к стехиометрич. ГА отношение Са/Р = 1,6 в пленках, выращенных на подложке напротив зоны распыления материала мишени. Для получения однофазных пленок на основе ГА в случае стационарного подложкодержателя рекомендуется располагать образцы на подложке напротив зоны распыления мишени (зона В). Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|