Specific features of the charge neutralization of silicon carbide in sintering by electron beam in the forevacuum range of pressures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:Technical Physics Letters: Scientific Journal
Vol. 41, iss. 8.— 2015.— [P. 747-749]
Համատեղ հեղինակ: Томский политехнический университет
Այլ հեղինակներ: Klimov A. S. Aleksandr Sergeevich, Burdovitsin V. A. Viktor Alekseevich, Zenin A. A. Aleksey Aleksandrovich, Oks E. M. Efim Mikhaylovich, Khasanov O. L. Oleg Leonidovich, Dvilis E. S. Edgar Sergeevich, Khasanov A. O. Aleksey Olegovich
Ամփոփում:Title screen
It is shown that a noticeable role in the electron beam charge neutralization in the course of elec tronbeam sintering of compacted silicon carbide samples is played, as the sample temperature increases, by the electrical conductivity of a sample being sintered, as well as by thermionic emission from its surface. Experimental results obtained for compacted silicon carbide are used to determine its energy gap width and the electron work function. Model of the slide valve pneumohydraulic impact unit.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: 2015
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:http://dx.doi.org/10.1134/S1063785015080118
Ձևաչափ: Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645570

Նմանատիպ նյութեր