Synthesis of nanosized silicon carbide in a free expiring plasma jet; Control and Communications (SIBCON)

Synthesis of nanosized silicon carbide in a free expiring plasma jet; Control and Communications (SIBCON)

Détails bibliographiques
Parent link:Control and Communications (SIBCON).— 2015.— [4 p.]
Collectivité auteur: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
Autres auteurs: Nikitin D. S. Dmitry Sergeevich, Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich, Pak A. Ya. Aleksandr Yakovlevich, Shanenkova Yu. L. Yuliya Leonidovna, Ivashutenko A. S. Alexander Sergeevich
Résumé:Title screen
Silicon carbide (SiC) nanomaterials can be successfully used for ceramics production and semiconductor applications. The possibility of the SiC nanopowder synthesis in an electrodischarge silicon-carbon plasma jet generated by a pulsed coaxial magnetoplasma accelerator (CMPA) is shown in this paper. A plasma jet expired in a free space of a reactor chamber filled with argon. The synthesized product was analyzed without any preparation by some modern techniques such as X-ray diffraction, scanning and transmission electron microscopy. The resulting product was compared with nanopowders synthesized in a plasma flow influencing on a copper barrier.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Langue:anglais
Publié: 2015
Sujets:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
коаксиальные магнитоплазменные ускорители
карбид кремния
рентгеновские дифрактометры
электронная микроскопия
Accès en ligne:http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147160
Format: Électronique Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645168

Documents similaires

Documents similaires