Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Nikitin D. S. Dmitry Sergeevich, Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich, Pak A. Ya. Aleksandr Yakovlevich, Shanenkova Yu. L. Yuliya Leonidovna, & Ivashutenko A. S. Alexander Sergeevich. (2015). Synthesis of nanosized silicon carbide in a free expiring plasma jet; Control and Communications (SIBCON). 2015. https://doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147160
Cita Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Nikitin D. S. Dmitry Sergeevich, Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich, Pak A. Ya. Aleksandr Yakovlevich, Shanenkova Yu. L. Yuliya Leonidovna, i Ivashutenko A. S. Alexander Sergeevich. Synthesis of Nanosized Silicon Carbide in a Free Expiring Plasma Jet; Control and Communications (SIBCON). 2015, 2015. https://doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147160.
Cita MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), et al. Synthesis of Nanosized Silicon Carbide in a Free Expiring Plasma Jet; Control and Communications (SIBCON). 2015, 2015. https://doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147160.