Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 57, № 9/3.— 2014.— [С. 61-65] |
|---|---|
| Collectivité auteur: | |
| Autres auteurs: | , , , |
| Résumé: | Заглавие с экрана Исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний импульсной ионной абляцией с использованием мощных ионных пучков. Установлен преобладающий механизм переноса носителей заряда в пленках и тип темновой и фотопроводимости. Определено влияние отжига в вакууме (10 -2 Па, 300-1000 К) на энергетические и кинетические характеристики темновой и фотопроводимости, механизм переноса и тип носителей заряда. Рассмотрены наиболее вероятные причины изменений электрических и фотоэлектрических характеристик пленок. The electrical and photoelectric properties of thin films of GaAs, deposited on polycrystalline silicon pulsed ion ablation using high-power ion beams were investigated. The dominant mechanism of charge transport in films and type of dark and photoconductivity was established. The effect of annealing in vacuum (10 -2 Pa, 300-1000 K) on the energetic and kinetic characteristics of dark and photoconductivity and transport mechanism and the type of charge carriers were determined. The most probable reasons of changes in the electrical and photoelectric characteristics of the films were considered. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2014
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://elibrary.ru/item.asp?id=23274334 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645026 |
MARC
| LEADER | 00000nla0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 645026 | ||
| 005 | 20250319115210.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\10110 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\10100 | ||
| 090 | |a 645026 | ||
| 100 | |a 20151208d2014 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией |d Transport charge of gallium arsenide films, synthesized by ionic ablation |f А. В. Кабышев [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 64-65 (22 назв.)] | ||
| 330 | |a Исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний импульсной ионной абляцией с использованием мощных ионных пучков. Установлен преобладающий механизм переноса носителей заряда в пленках и тип темновой и фотопроводимости. Определено влияние отжига в вакууме (10 -2 Па, 300-1000 К) на энергетические и кинетические характеристики темновой и фотопроводимости, механизм переноса и тип носителей заряда. Рассмотрены наиболее вероятные причины изменений электрических и фотоэлектрических характеристик пленок. | ||
| 330 | |a The electrical and photoelectric properties of thin films of GaAs, deposited on polycrystalline silicon pulsed ion ablation using high-power ion beams were investigated. The dominant mechanism of charge transport in films and type of dark and photoconductivity was established. The effect of annealing in vacuum (10 -2 Pa, 300-1000 K) on the energetic and kinetic characteristics of dark and photoconductivity and transport mechanism and the type of charge carriers were determined. The most probable reasons of changes in the electrical and photoelectric characteristics of the films were considered. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 57, № 9/3 |v [С. 61-65] |d 2014 | ||
| 510 | 1 | |a Transport charge of gallium arsenide films, synthesized by ionic ablation |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a арсенид галлия | |
| 610 | 1 | |a энергия активации | |
| 610 | 1 | |a плотность состояний | |
| 610 | 1 | |a прыжковая проводимость | |
| 610 | 1 | |a фотопроводимость | |
| 610 | 1 | |a вакуумный отжиг | |
| 610 | 1 | |a gallium arsenide | |
| 610 | 1 | |a activation energy | |
| 610 | 1 | |a density of states | |
| 610 | 1 | |a hopping conductivity | |
| 610 | 1 | |a photo-conductivity | |
| 610 | 1 | |a vacuum annealing | |
| 701 | 1 | |a Кабышев |b А. В. |c специалист в области электроэнергетики |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1958- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27068 | |
| 701 | 1 | |a Конусов |b Ф. В. |c физик |c ведущий инженер Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1958- |g Федор Валерьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30120 |9 14526 | |
| 701 | 1 | |a Remnev |b G. E. |c physicist |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences |f 1948- |g Gennady Efimovich |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 | |
| 701 | 1 | |a Павлов |b С. К. |c физик |c инженер Томского политехнического университета |f 1990- |g Сергей Константинович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32608 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Лаборатория № 1 |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20151208 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=23274334 | |
| 942 | |c CF | ||