Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 57, № 9/3.— 2014.— [С. 61-65] |
|---|---|
| 団体著者: | |
| その他の著者: | , , , |
| 要約: | Заглавие с экрана Исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний импульсной ионной абляцией с использованием мощных ионных пучков. Установлен преобладающий механизм переноса носителей заряда в пленках и тип темновой и фотопроводимости. Определено влияние отжига в вакууме (10 -2 Па, 300-1000 К) на энергетические и кинетические характеристики темновой и фотопроводимости, механизм переноса и тип носителей заряда. Рассмотрены наиболее вероятные причины изменений электрических и фотоэлектрических характеристик пленок. The electrical and photoelectric properties of thin films of GaAs, deposited on polycrystalline silicon pulsed ion ablation using high-power ion beams were investigated. The dominant mechanism of charge transport in films and type of dark and photoconductivity was established. The effect of annealing in vacuum (10 -2 Pa, 300-1000 K) on the energetic and kinetic characteristics of dark and photoconductivity and transport mechanism and the type of charge carriers were determined. The most probable reasons of changes in the electrical and photoelectric characteristics of the films were considered. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 言語: | ロシア語 |
| 出版事項: |
2014
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://elibrary.ru/item.asp?id=23274334 |
| フォーマット: | 電子媒体 図書の章 |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645026 |
| 要約: | Заглавие с экрана Исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства тонких пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний импульсной ионной абляцией с использованием мощных ионных пучков. Установлен преобладающий механизм переноса носителей заряда в пленках и тип темновой и фотопроводимости. Определено влияние отжига в вакууме (10 -2 Па, 300-1000 К) на энергетические и кинетические характеристики темновой и фотопроводимости, механизм переноса и тип носителей заряда. Рассмотрены наиболее вероятные причины изменений электрических и фотоэлектрических характеристик пленок. The electrical and photoelectric properties of thin films of GaAs, deposited on polycrystalline silicon pulsed ion ablation using high-power ion beams were investigated. The dominant mechanism of charge transport in films and type of dark and photoconductivity was established. The effect of annealing in vacuum (10 -2 Pa, 300-1000 K) on the energetic and kinetic characteristics of dark and photoconductivity and transport mechanism and the type of charge carriers were determined. The most probable reasons of changes in the electrical and photoelectric characteristics of the films were considered. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|