Measurements of parametric X-rays from relativistic electrons in silicon crystals

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms: Scientific Journal.— , 1984- Vol. 21, iss. 1-4.— 1987.— [P. 49-55]
Այլ հեղինակներ:	Adishchev Yu. N. Yuri Nikolaevich, Didenko A. N. Andrei Nikolaevich, Mun V. V., Pleshkov G. A., Potylitsyn A. P. Alexander Petrovich, Tomchakov V. K., Uglov S. R. Sergey Romanovich, Vorobiev S. A. Sergey Aleksandrovich
Ամփոփում:	Title screen Spectral and angular distributions of parametric X-rays have been measured for (200-900) MeV electrons from Si single crystal. The parametric X-rays were observed at an angle θ = 19° relative to the beam of electrons, which intersects the (110) or (111) Si crystallographic planes. The energetic dependence of the PX intensity was also obtained. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Հրապարակվել է:	1987
Խորագրեր:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Առցանց հասանելիություն:	http://dx.doi.org/10.1016/0168-583X(87)90138-8
Ձևաչափ:	Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=644893

Նկարագրություն
Ամփոփում:	Title screen Spectral and angular distributions of parametric X-rays have been measured for (200-900) MeV electrons from Si single crystal. The parametric X-rays were observed at an angle θ = 19° relative to the beam of electrons, which intersects the (110) or (111) Si crystallographic planes. The energetic dependence of the PX intensity was also obtained. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
DOI:	10.1016/0168-583X(87)90138-8

Նմանատիպ նյութեր