Физические основы формирования обогащенных по изотопам слоев в оптических волокнах; Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета (Научный журнал КубГАУ); № 110 (06)

Detalhes bibliográficos
Parent link:Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета (Научный журнал КубГАУ)/ Кубанский государственный аграрный университет.— , 2003-
№ 110 (06).— 2015.— [С. 1481-1491]
Autor Corporativo: Национальный исследовательский Томский политехнический университет
Outros Autores: Мышкин В. Ф. Вячеслав Фёдорович, Хан В. А. Валерий Алексеевич, Кемельбеков Б. Ж. Бекен Жасымбаевич, Ленский В. Н. Владимир Николаевич, Кусамбаева Н. Ш. Назым Шаяхметовна, Оразымбетова А. К. Айгуль Каныбековна, Оспанова Н. А. Нуржамал Акбаевна
Resumo:Заглавие с титульного листа
Известно, что при использовании в кварцевом стекле кремния, содержащего одинаковое количество изотопов 28Si и 30Si, коэффициент пропускания оказывается меньше, чем в серийно выпускаемых световодах для электросвязи. Поэтому актуальна задача разработки способа формирования оптического стекла с заданным изотопным составом как в сердцевине, так и в оболочке. В работе приведен анализ физико-химических процессов, протекающих при формировании заготовки для кварцевого оптического волокна методом парофазного осаждения из газовой фазы. Показано, что часть этапов окисления тетрахлорида кремния проходит через радикальные процессы. Поэтому для формирования кварцевого стекла с измененным изотопным составом могут быть использованы парамагнитные явления, вызываемые внешним магнитным полем в высокотемпературном потоке при химическом осаждении кварцевого стекла из паровой фазы. В таком стекле не требуется использования легирующих добавок в виде других элементов. Легирующие добавки могут формировать неоднородности плотности стекла. При совмещении технологии формирования кварцевого стекла и процесса сепарации изотопов кремния стоимость световода будет значительно меньше, чем при использовании обогащенных по изотопам материалов. Для формирования магнитного поля, на существующих технологических установках, могут быть использованы постоянные магниты.
It is known that transmission coefficient of quartz glass containing the same amount of 28Si and 30Si in the silicon optical fiber is lesser than in commercial LEDs for telecommunications. Therefore it is topical to develop the method of optical glass formation with specified isotope composition in the core and in the shell. The article provides an analysis of physical and chemical processes occurring at the formation of quartz optical fiber blanks by vapor deposition from the gas phase. It is shown that the part of the silicon tetrachloride oxidation stages passes through the radical processes. Therefore for quartz glass formation with specified isotope composition it is possible to use the paramagnetic phenomena caused by the external magnetic field in a high-temperature flow at the quartz glass chemical deposition from the vapor phase. In this case alloy additive using is not necessary. Alloy additives can form density inhomogeneities in the glass. Simultaneous silicon glass formation and silicon isotope separation process bring to significant reduction of the fiber cost in comparison with isotope-enriched materials using. The permanent magnets can be used for magnetic field formation at existing process units.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:russo
Publicado em: 2015
coleção:Физико-математические науки
Assuntos:
Acesso em linha:http://ej.kubagro.ru/2015/06/pdf/98.pdf
http://elibrary.ru/item.asp?id=24114553
Formato: Recurso Eletrônico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=644323

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 644323
005 20250514132413.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\9388 
090 |a 644323 
100 |a 20151111d2015 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Физические основы формирования обогащенных по изотопам слоев в оптических волокнах  |f В. Ф. Мышкин [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
225 1 |a Физико-математические науки 
300 |a Заглавие с титульного листа 
320 |a [Библиогр.: с. 1491 (19 назв.)] 
330 |a Известно, что при использовании в кварцевом стекле кремния, содержащего одинаковое количество изотопов 28Si и 30Si, коэффициент пропускания оказывается меньше, чем в серийно выпускаемых световодах для электросвязи. Поэтому актуальна задача разработки способа формирования оптического стекла с заданным изотопным составом как в сердцевине, так и в оболочке. В работе приведен анализ физико-химических процессов, протекающих при формировании заготовки для кварцевого оптического волокна методом парофазного осаждения из газовой фазы. Показано, что часть этапов окисления тетрахлорида кремния проходит через радикальные процессы. Поэтому для формирования кварцевого стекла с измененным изотопным составом могут быть использованы парамагнитные явления, вызываемые внешним магнитным полем в высокотемпературном потоке при химическом осаждении кварцевого стекла из паровой фазы. В таком стекле не требуется использования легирующих добавок в виде других элементов. Легирующие добавки могут формировать неоднородности плотности стекла. При совмещении технологии формирования кварцевого стекла и процесса сепарации изотопов кремния стоимость световода будет значительно меньше, чем при использовании обогащенных по изотопам материалов. Для формирования магнитного поля, на существующих технологических установках, могут быть использованы постоянные магниты. 
330 |a It is known that transmission coefficient of quartz glass containing the same amount of 28Si and 30Si in the silicon optical fiber is lesser than in commercial LEDs for telecommunications. Therefore it is topical to develop the method of optical glass formation with specified isotope composition in the core and in the shell. The article provides an analysis of physical and chemical processes occurring at the formation of quartz optical fiber blanks by vapor deposition from the gas phase. It is shown that the part of the silicon tetrachloride oxidation stages passes through the radical processes. Therefore for quartz glass formation with specified isotope composition it is possible to use the paramagnetic phenomena caused by the external magnetic field in a high-temperature flow at the quartz glass chemical deposition from the vapor phase. In this case alloy additive using is not necessary. Alloy additives can form density inhomogeneities in the glass. Simultaneous silicon glass formation and silicon isotope separation process bring to significant reduction of the fiber cost in comparison with isotope-enriched materials using. The permanent magnets can be used for magnetic field formation at existing process units. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
337 |a Adobe Reader 
461 1 |t Политематический сетевой электронный научный журнал Кубанского государственного аграрного университета (Научный журнал КубГАУ)  |f Кубанский государственный аграрный университет  |d 2003- 
463 1 |t № 110 (06)  |v [С. 1481-1491]  |d 2015 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a оптическое волокно 
610 1 |a ослабление 
610 1 |a кварцевое стекло 
610 1 |a изотопный состав 
701 1 |a Мышкин  |b В. Ф.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1962-  |g Вячеслав Фёдорович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26858  |9 12476 
701 1 |a Хан  |b В. А.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1952-  |g Валерий Алексеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31144  |9 15340 
701 1 |a Кемельбеков  |b Б. Ж.  |g Бекен Жасымбаевич 
701 1 |a Ленский  |b В. Н.  |g Владимир Николаевич  |c специалист в области военного дела  |c преподаватель Томского политехнического университета  |f 1963-  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32127  |9 16149 
701 1 |a Кусамбаева  |b Н. Ш.  |g Назым Шаяхметовна 
701 1 |a Оразымбетова  |b А. К.  |g Айгуль Каныбековна 
701 1 |a Оспанова  |b Н. А.  |g Нуржамал Акбаевна 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |c (2009- )  |9 26305 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160229  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u http://ej.kubagro.ru/2015/06/pdf/98.pdf  |z http://ej.kubagro.ru/2015/06/pdf/98.pdf 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=24114553  |z http://elibrary.ru/item.asp?id=24114553 
942 |c CF