Оптические свойства поликристаллических алмазных пленок, осажденных из аномального тлеющего разряда
| Parent link: | Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2015)=Interaction of Radiation with Solids (IRS-2015): материалы 11-ой Международной конференции, 23-25 сентября 2015 г., Минск, Беларусь. [С. 352-354].— , 2015 |
|---|---|
| Korporace: | , |
| Další autoři: | , , , , |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Исследованы характеристики оптического поглощения поликристаллических алмазных пленок, осажденных из аномального тлеющего разряда. Параметры межзонного и внутризонного поглощения в пленках обусловлены непрерывным распределением по энергии в запрещенной зоне (ЗЗ) состояний, наведенных дефектами различной природы. Край поглощения кристаллической фазы пленок отделяется от зоны поглощения, обусловленной электронными переходами между локализованными состояниями дефектов. Ширина запрещенной зоны сужается на 0.2-0.5 эВ от свойственной алмазу величины. Формируется дополнительный край поглощения пленок в интервале энергии 1.2-3.3 эВ, где выполняется правило Урбаха и реализуется межзонное поглощение при прямых разрешенных переходах через оптическую щель 1.1-1.5 эВ. Средняя ширина ЗЗ пленок составляет 2.6-3.24 эВ по оценке в рамках полуклассической межзонной модели. Установленная взаимосвязь параметров межзонного и экспоненциального поглощения обусловлена статическим и/или динамическим разупорядочением кристаллической решетки в кристаллитах. The characteristics of the optical absorption of polycrystalline diamond films deposited from abnormal glow discharge were investigated. Parameters of interband and intraband absorption in the films due to a continuous distribution of energy states in the band gap induced defects of different nature. The absorption edge of the crystalline phase of films is separated from of the absorption band due to electronic transitions between defects localized states. Bandgap is narrowed to 0.2-0.5 eV from the intrinsic value of a diamond. An extra edge absorption of films in the energy range 1.2-3.3 eVis formed, where performed Urbach rule and implemented interband absorption at direct allowed transitions through the optical gap 1.1-1.5 eV. The average width of band gap of the films is 2.6-3.24 eV by assessment under interband semiclassical model. Installed correlation between the parameters of interbandandand exponential absorption due to the static and/or dynamic disordering of the crystal lattice. |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2015
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://elib.bsu.by/bitstream/123456789/120092/1/Кабышев.pdf |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643901 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 643901 | ||
| 005 | 20250606135907.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\8900 | ||
| 090 | |a 643901 | ||
| 100 | |a 20151012d2015 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a BY | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Оптические свойства поликристаллических алмазных пленок, осажденных из аномального тлеющего разряда |f А. В. Кабышев [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 354 (19 назв.)] | ||
| 330 | |a Исследованы характеристики оптического поглощения поликристаллических алмазных пленок, осажденных из аномального тлеющего разряда. Параметры межзонного и внутризонного поглощения в пленках обусловлены непрерывным распределением по энергии в запрещенной зоне (ЗЗ) состояний, наведенных дефектами различной природы. Край поглощения кристаллической фазы пленок отделяется от зоны поглощения, обусловленной электронными переходами между локализованными состояниями дефектов. Ширина запрещенной зоны сужается на 0.2-0.5 эВ от свойственной алмазу величины. Формируется дополнительный край поглощения пленок в интервале энергии 1.2-3.3 эВ, где выполняется правило Урбаха и реализуется межзонное поглощение при прямых разрешенных переходах через оптическую щель 1.1-1.5 эВ. Средняя ширина ЗЗ пленок составляет 2.6-3.24 эВ по оценке в рамках полуклассической межзонной модели. Установленная взаимосвязь параметров межзонного и экспоненциального поглощения обусловлена статическим и/или динамическим разупорядочением кристаллической решетки в кристаллитах. | ||
| 330 | |a The characteristics of the optical absorption of polycrystalline diamond films deposited from abnormal glow discharge were investigated. Parameters of interband and intraband absorption in the films due to a continuous distribution of energy states in the band gap induced defects of different nature. The absorption edge of the crystalline phase of films is separated from of the absorption band due to electronic transitions between defects localized states. Bandgap is narrowed to 0.2-0.5 eV from the intrinsic value of a diamond. An extra edge absorption of films in the energy range 1.2-3.3 eVis formed, where performed Urbach rule and implemented interband absorption at direct allowed transitions through the optical gap 1.1-1.5 eV. The average width of band gap of the films is 2.6-3.24 eV by assessment under interband semiclassical model. Installed correlation between the parameters of interbandandand exponential absorption due to the static and/or dynamic disordering of the crystal lattice. | ||
| 463 | |t Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2015) |l Interaction of Radiation with Solids (IRS-2015) |o материалы 11-ой Международной конференции, 23-25 сентября 2015 г., Минск, Беларусь |o proceedings of the 11th International Conference, September 23-25, 2015, Minsk, Belarus |v [С. 352-354] |d 2015 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Кабышев |b А. В. |c специалист в области электроэнергетики |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1958- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27068 | |
| 701 | 1 | |a Конусов |b Ф. В. |c физик |c ведущий инженер Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1958- |g Федор Валерьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30120 |9 14526 | |
| 701 | 1 | |a Линник |b С. А. |c физик |c инженер-исследователь Томского политехнического университета |f 1985- |g Степан Андреевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28210 |9 13164 | |
| 701 | 1 | |a Гайдайчук |b А. В. |c российский физик |c аспирант, инженер-исследователь Томского политехнического университета |f 1984- |g Александр Валерьевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28207 |9 13161 | |
| 701 | 1 | |a Ремнев |b Г. Е. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1948- |g Геннадий Ефимович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Энергетический институт (ЭНИН) |b Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18676 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Лаборатория № 1 |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035 |
| 801 | 1 | |a RU |b 63413507 |c 20141010 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20151026 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u http://elib.bsu.by/bitstream/123456789/120092/1/Кабышев.pdf | |
| 942 | |c CF | ||