Ионный диод с внешней магнитной изоляцией

Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Томский политехнический университет (ТПУ) Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН)
Weitere Verfasser: Исаков И. Ф. Иван Фалалеевич, Лопатин В. В. Владимир Васильевич, Макеев В. А. Вячеслав Анатольевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Степанов А. В. Андрей Владимирович, Фурман Э. Г. Эдвин Гугович, Тарбоков В. А. Владислав Александрович
Zusammenfassung:опубл. : 27.11.06
Изобретение относится к области ускорительной техники. Сущность изобретения: ионный диод с внешней магн. изоляцией содержит кольцевой анод и цилиндрич. катоды, две концентрические согласно включенные катушки, размещенные за внешним и внутренним радиусами цилиндрич. катодов, и импульсные источники питания. Эмиссионная поверхность анода снабжена кольцевыми канавками с диэлектрич. покрытием или диэлектрич. вставками. Анод выполнен из высокопроводящего материала, а числа витков в обмотках W[1] и W[2] и центры радиусов их ампервитков R[1] и R[2] расположены симметрично относительно эмиссионной поверхности анода и соотносятся как W[1]·R[1]=W[2]·R[2]. Преимущества изобретения заключаются в повышении стабильности генерируемых импульсов.
Sprache:Russisch
Veröffentlicht:
Schlagworte:
Online-Zugang:http://www1.fips.ru/Archive/PAT/2006FULL/2006.11.27/DOC/RUNWC2/000/000/002/288/553/document.pdf
Format: Elektronisch Buch
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643688
Beschreibung
Zusammenfassung:опубл. : 27.11.06
Изобретение относится к области ускорительной техники. Сущность изобретения: ионный диод с внешней магн. изоляцией содержит кольцевой анод и цилиндрич. катоды, две концентрические согласно включенные катушки, размещенные за внешним и внутренним радиусами цилиндрич. катодов, и импульсные источники питания. Эмиссионная поверхность анода снабжена кольцевыми канавками с диэлектрич. покрытием или диэлектрич. вставками. Анод выполнен из высокопроводящего материала, а числа витков в обмотках W[1] и W[2] и центры радиусов их ампервитков R[1] и R[2] расположены симметрично относительно эмиссионной поверхности анода и соотносятся как W[1]·R[1]=W[2]·R[2]. Преимущества изобретения заключаются в повышении стабильности генерируемых импульсов.