Ионный диод с внешней магнитной изоляцией

Chi tiết về thư mục
Tác giả của công ty: Томский политехнический университет (ТПУ) Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН)
Tác giả khác: Исаков И. Ф. Иван Фалалеевич, Лопатин В. В. Владимир Васильевич, Макеев В. А. Вячеслав Анатольевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Степанов А. В. Андрей Владимирович, Фурман Э. Г. Эдвин Гугович, Тарбоков В. А. Владислав Александрович
Tóm tắt:опубл. : 27.11.06
Изобретение относится к области ускорительной техники. Сущность изобретения: ионный диод с внешней магн. изоляцией содержит кольцевой анод и цилиндрич. катоды, две концентрические согласно включенные катушки, размещенные за внешним и внутренним радиусами цилиндрич. катодов, и импульсные источники питания. Эмиссионная поверхность анода снабжена кольцевыми канавками с диэлектрич. покрытием или диэлектрич. вставками. Анод выполнен из высокопроводящего материала, а числа витков в обмотках W[1] и W[2] и центры радиусов их ампервитков R[1] и R[2] расположены симметрично относительно эмиссионной поверхности анода и соотносятся как W[1]·R[1]=W[2]·R[2]. Преимущества изобретения заключаются в повышении стабильности генерируемых импульсов.
Ngôn ngữ:Tiếng Nga
Được phát hành:
Những chủ đề:
Truy cập trực tuyến:http://www1.fips.ru/Archive/PAT/2006FULL/2006.11.27/DOC/RUNWC2/000/000/002/288/553/document.pdf
Định dạng: Điện tử Sách
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643688
Miêu tả
Tóm tắt:опубл. : 27.11.06
Изобретение относится к области ускорительной техники. Сущность изобретения: ионный диод с внешней магн. изоляцией содержит кольцевой анод и цилиндрич. катоды, две концентрические согласно включенные катушки, размещенные за внешним и внутренним радиусами цилиндрич. катодов, и импульсные источники питания. Эмиссионная поверхность анода снабжена кольцевыми канавками с диэлектрич. покрытием или диэлектрич. вставками. Анод выполнен из высокопроводящего материала, а числа витков в обмотках W[1] и W[2] и центры радиусов их ампервитков R[1] и R[2] расположены симметрично относительно эмиссионной поверхности анода и соотносятся как W[1]·R[1]=W[2]·R[2]. Преимущества изобретения заключаются в повышении стабильности генерируемых импульсов.