Способ синтеза наноалмазов и наноразмерных частиц карбида кремния в поверхностном слое кремния

Способ синтеза наноалмазов и наноразмерных частиц карбида кремния в поверхностном слое кремния

Bibliographic Details
Main Author: Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Corporate Author: Томский политехнический университет (ТПУ)
Other Authors: Степанов А. В. Андрей Владимирович, Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Summary:опубл. 10.07.10
В патентуемом способе синтез SiC проводят путем имплантации ускоренных ионов углерода в подложку из Si. В отличие от прототипа имплантацию проводят в импульсном режиме с длительностью импульса ионного пучка в диапазоне 10{-8}-10{-6} с, плотностью тока в импульсе 10-10{2} А/см{2}, при энергии ионов 10{4}-10{6} эВ и при числе импульсов воздействия пучка на мишень 10{2}-10{4}. Числом импульсов контролируется число внедренных в поверхностный слой атомов углерода, которое определяет объемную долю синтезированных частиц. А параметрами пучка (плотностью тока, энергией ионов, длительностью импульса) задаются требуемые для синтеза наноалмазов и наночастиц SiC температура и давление. Предложенный способ позволяет методом импульсной ионной имплантации с определенными режимами формировать в поверхностном слое монокристаллич. кремниевой мишени поликристаллы SiC и наноалмазов. Способ м. б. достаточно просто реализован в технол. линиях, так как требует для своего осуществления всего одну вакуумную установку, которая в настоящее время достаточно технически проработана. Способ м. б. использован при получении новых материалов.
Language:Russian
Published:
Subjects:
патенты
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
изобретения
кремний
поверхностные слои
наночастицы
алмазы
Online Access:http://www1.fips.ru/Archive/PAT/2010FULL/2010.07.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/393/989/document.pdf
Format: Electronic Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643687

Similar Items

Similar Items