|
|
|
|
| LEADER |
00000nlm0a2200000 4500 |
| 001 |
643687 |
| 005 |
20240209110352.0 |
| 029 |
1 |
0 |
|a RU
|b 2393989
|c Пат.
|d МПК C 01 B 31/06
|d МПК B 82 B 3/00
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\network\8684
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\network\8683
|
| 039 |
0 |
|
|a RU
|b 2009107400/15
|c 20090302
|
| 090 |
|
|
|a 643687
|
| 100 |
|
|
|a 20150922j20100710k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a k 000zy
|
| 135 |
|
|
|a drcn ---uucaa
|
| 181 |
|
0 |
|a i
|
| 182 |
|
0 |
|a b
|
| 200 |
1 |
|
|a Способ синтеза наноалмазов и наноразмерных частиц карбида кремния в поверхностном слое кремния
|f Г. Е. Ремнев, А. В. Степанов, М. С. Салтымаков
|g Томский политехнический университет (ТПУ)
|
| 203 |
|
|
|a Текст
|c электронный
|
| 300 |
|
|
|a опубл. 10.07.10
|
| 330 |
|
|
|a В патентуемом способе синтез SiC проводят путем имплантации ускоренных ионов углерода в подложку из Si. В отличие от прототипа имплантацию проводят в импульсном режиме с длительностью импульса ионного пучка в диапазоне 10{-8}-10{-6} с, плотностью тока в импульсе 10-10{2} А/см{2}, при энергии ионов 10{4}-10{6} эВ и при числе импульсов воздействия пучка на мишень 10{2}-10{4}. Числом импульсов контролируется число внедренных в поверхностный слой атомов углерода, которое определяет объемную долю синтезированных частиц. А параметрами пучка (плотностью тока, энергией ионов, длительностью импульса) задаются требуемые для синтеза наноалмазов и наночастиц SiC температура и давление. Предложенный способ позволяет методом импульсной ионной имплантации с определенными режимами формировать в поверхностном слое монокристаллич. кремниевой мишени поликристаллы SiC и наноалмазов. Способ м. б. достаточно просто реализован в технол. линиях, так как требует для своего осуществления всего одну вакуумную установку, которая в настоящее время достаточно технически проработана. Способ м. б. использован при получении новых материалов.
|
| 610 |
1 |
|
|a патенты
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный ресурс
|
| 610 |
1 |
|
|a изобретения
|
| 610 |
1 |
|
|a кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхностные слои
|
| 610 |
1 |
|
|a наночастицы
|
| 610 |
1 |
|
|a алмазы
|
| 700 |
|
1 |
|a Ремнев
|b Г. Е.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук
|f 1948-
|g Геннадий Ефимович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004
|
| 701 |
|
1 |
|a Степанов
|b А. В.
|c физик
|c научный сотрудник Томского политехнического университета
|f 1981-
|g Андрей Владимирович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28104
|9 13062
|
| 701 |
|
1 |
|a Салтымаков
|b М. С.
|c физик
|c младший научный сотрудник Томского политехнического университета
|f 1982-
|g Максим Сергеевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30452
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский политехнический университет (ТПУ)
|c (1991-2009)
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\376
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20120201
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20160606
|g RCR
|
| 856 |
4 |
|
|u http://www1.fips.ru/Archive/PAT/2010FULL/2010.07.10/DOC/RUNWC1/000/000/002/393/989/document.pdf
|
| 942 |
|
|
|c CF
|
