Лекции по моделированию элементов интегральных схем

Détails bibliographiques
Auteur principal: Абрамов И. И. Игорь Иванович
Résumé:В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС. Включены примеры двумерного и трехмерного моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И² Л-элементах в самых разнообразных режимах их функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды. Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим мо­дели элементов ИС в своих исследованиях.
Langue:russe
Publié: Москва, Регулярная и хаотическая динамика, 2005
Sujets:
Format: Livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=64364

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 64364
005 20231101212127.0
010 |a 593972177X 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\68307 
090 |a 64364 
100 |a 20040531d2005 m y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a j 001zy 
200 1 |a Лекции по моделированию элементов интегральных схем  |f И. И. Абрамов 
210 |a Москва  |a Ижевск  |c Регулярная и хаотическая динамика  |d 2005 
215 |a 152 с.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 147-148. 
330 |a В учебном пособии дан единый взгляд на построение моделей элементов кремниевых интегральных схем (ИС) на основе фундаментальной системы уравнений физики полупроводниковых приборов. Приведены классификация моделей и подходы к их синтезу. Описаны основные используемые в настоящее время на практике модели и рассмотрены методы идентификации их параметров. Приведены сведения о программном обеспечении моделирования элементов и фрагментов ИС. Включены примеры двумерного и трехмерного моделирования с использованием численных моделей физических процессов в МОП- и биполярных транзисторах, И² Л-элементах в самых разнообразных режимах их функционирования. Приводятся также результаты анализа элементов в случае учета влияния эффектов сильного легирования, саморазогрева и температуры окружающей среды. Пособие предназначается для студентов старших курсов соответствующих специальностей, а также может быть полезно аспирантам и инженерам, использующим мо­дели элементов ИС в своих исследованиях. 
606 1 |a Микроэлектронные схемы интегральные  |x Конструкци и расчет  |x Математическое моделирование  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\43848  |9 63289 
610 1 |a интегральные схемы 
610 1 |a элементы 
610 1 |a моделирование 
610 1 |a биполярные элементы 
610 1 |a биполярные транзисторы 
610 1 |a МДП-транзисторы 
610 1 |a диоды 
610 1 |a пассивные элементы 
610 1 |a паразитные элементы 
610 1 |a кремниевые интегральные схемы 
610 1 |a физические процессы 
610 1 |a лекции 
610 1 |a учебные пособия 
675 |a 621.382.049.77.001(075.8)  |v 3 
700 1 |a Абрамов  |b И. И.  |g Игорь Иванович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20040531  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20201010  |g PSBO 
942 |c BK