Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation

Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 57, № 12, ч. 3.— 2014.— [С. 73-75]
Main Author: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Лаборатория № 51 (Радиационных испытаний материалов и изделий), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО)
Other Authors: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Summary:Заглавие с экрана
In the article it is determined that under separate fast neutron and electron radiation the decrease in emission intensity of light-emitting diodes based on AlGaAs - heterostructures follows in two phases. First, the emission intensity is decreasing because of the rearrangement of the defect structure, second, as the radiation defects only are introduced. The preliminary fast neutron radiation followed by that of electron causes the diminishing of the first phase in the degradation process, on the whole, and the preliminary electron radiation followed by that of neutron leads to the renewal of emission intensity in the first phase of degradation.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2014
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
радиационные дефекты
радиационная стойкость
нейтронное излучение
электронное излучение
гетероструктуры
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=23815756
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643599

Similar Items

Similar Items