The electrical conductivity of the surface layers of oxide polycrystalline semiconductors irradiated by accelerated ions; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials

The electrical conductivity of the surface layers of oxide polycrystalline semiconductors irradiated by accelerated ions; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials

Библиографические подробности
Источник:	IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials.— 2015.— [012026, 6 p.]
Главный автор:	Frangulyan (Franguljyan) Т. S. Tamara Semenovna
Автор-организация:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)
Другие авторы:	Gyngazov (Ghyngazov) S. A. Sergey Anatolievich, Kaz S. M.
Примечания:	Title screen The effect of ion irradiation on the electrical conductivity of low resistance and high resistance subsurface layers of polycrystalline Li-Ti ferrites is studied. Irradiation was carried out with accelerated Ar+ ions with energy E=150 keV and the fluence F=10{16} ions/cm{2}. It is found that exposure of high-resistance ferrites significantly decreases the activation energy E[sigma] and considerably increases the electrical conductivity of the surface layers. The effect of the ion beam on the stated low-resistance characteristics of the samples is much weaker. The observed decrease in the numerical values of E[sigma] is due to the decrease in the values of the intergranular potential barrier caused by the exposure. The decrease in the potential barrier difference is due to the decreased degree of the grain boundary oxidation which is caused by preferential desorption of oxygen under the action of the ion beam. The thermal stability of the electrical characteristics of the investigated ferrites subjected to ion radiation-induced modification is determined. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Язык:	английский
Опубликовано:	2015
Предметы:	электронный ресурс труды учёных ТПУ электрическая проводимость поверхностные слои оксиды поликристаллические полупроводники полупроводники облучение ионами ускоренные ионы
Online-ссылка:	http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/81/1/012026 http://earchive.tpu.ru/handle/11683/14697
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642950

Схожие документы

Сравнительный анализ формирования радиационных дефектов в металлах при облучении ионами и ускоренными атомами; Современные материалы и технологии новых поколений
по: Прима А. И. Артем Игоревич
Опубликовано: (2019)

Fundamentals of Semiconductors. Physics and Materials Properties
по: Yu P. Y. Peter Y.
Опубликовано: (Springer, 2001)

Фоторезистивные свойства аморфных и поликристаллических пленок широкозонных полупроводников
по: Ибрагимов В. Ю. Валентин Юсуфович
Опубликовано: (Ташкент, Фан, 1991)

Бесконтактное измерение основных параметров мультикремния на СВЧ; Современные техника и технологии; Т. 1
Опубликовано: (2008)

Evolution of Defective State of Aluminum Oxide Irradiated with Chromium Ions after Annealing in Oxygen Environment; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 168 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2016)
по: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Опубликовано: (2017)

Trap Level Spectroscopy in Amorphous Semiconductors
по: Mikla V. I. Victor
Опубликовано: (Amsterdam, Elsevier, 2010)

Аморфные и поликристаллические полупроводники: пер. с нем.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1987)

Semiconductor Physics: An Introduction
по: Seeger K. Karlheinz
Опубликовано: (Berlin, Springer, 1999)

Selective deposition of polycrystalline diamond films using photolithography with addition of nanodiamonds as nucleation centers; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 116 : Advanced Materials and New Technologies in Modern Materials Science
Опубликовано: (2016)

Semiconductor Physics. An Introduction: with 316 Figures
по: Seeger K. Karlheinz
Опубликовано: (Heidelberg, Springer, 1997)

Поликристаллические полупроводники: физические свойства и применения: пер. с англ.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1989)

Бесконтактное измерение распределения удельного сопротивления кремния на сверхвысоких частотах; Современные техника и технологии; Т. 1
по: Нгуен Хай Чунг
Опубликовано: (2009)

Handbook of Monochromatic XPS Spestra. Semiconductors
по: Crist V. Vincent
Опубликовано: (Chichester, John Wiley & Sons, LTD., 2000)

The Structural Thermal Stability of the Fe80Si7 B13 Alloys Under the Irradiation of High-Intensity Pulsed Ion Beam; Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB-2019)
Опубликовано: (2019)

Волоконные технологические лазеры
по: Голубенко Ю. В.
Опубликовано: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010)

Electrophysical properties of polycrystalline diamond films deposited from an abnormal glow discharge; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
Опубликовано: (2015)

Basic Semiconductor Physics: With 168 Figures and 25 Tables
по: Hamaguchi C. Chihro
Опубликовано: (Berlin, Springer-Verlag, 2001)

Narrow-Gap Semiconductors
по: Dornhaus R.
Опубликовано: (Berlin, Springer-Verlag, 1983)

Физические основы полупроводниковой тензометрии: межвузовский сборник научных трудов
Опубликовано: (Новосибирск, Изд-во НЭТИ, 1984)

The Physics of Semiconductors. An Introduction Including Devices and Nanophysics
по: Grundmann M. Marius
Опубликовано: (Berlin, Springer-Verlag, 2006)

A Mesomechanical Analysis of the Deformation and Fracture in Polycrystalline Materials with Ceramic Porous Coatings; AIP Conference Proceedings; Vol. 1683 : Advanced Materials with Hierarchical Structure for New Technologies and Reliable Structures
Опубликовано: (2015)

Semiconductors
Опубликовано: (Leningrad, Nauka, 1979)

Fatigue life improvement of 12Cr1?oV steel by irradiation with Zr+ ion beam; International Journal of Fatigue; Vol. 76 : Fatigue Mechanism and Structural Integrity: Advances and Applications
Опубликовано: (2015)

Handbook of Semiconductor Interconnection Technology
Опубликовано: (New York, Taylor & Francis, 2006)

Structural study of W2B obtained via mechanical alloying of W, B4C, TiC and graphite before and after He ions irradiation; Nuclear Materials and Energy; Vol. 31
Опубликовано: (2022)

GaSe oxidation in air: from bulk to monolayers; Semiconductor Science and Technology; Vol. 32, iss. 10
Опубликовано: (2017)

Упорядоченные массивы нанокристаллов диоксида ванадия с обратимым фазовым переходом полупроводник-металл на наноструктурах кремния: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Мутилин С. В. Сергей Владимирович
Опубликовано: (Новосибирск, [Б. и.], 2022)

Micromechanical model of deformation-induced surface roughening in polycrystalline materials; Physical Mesomechanics; Vol. 20, iss. 3
Опубликовано: (2017)

Principles of elektrical engineering materials and devices
по: Kasap S. O. Safa O.
Опубликовано: (Boston, McGraw-Hill, 2000)

Semiconductor Nanocrystals. From Basic Principles to Applications
Опубликовано: (New York, Kluwer Academic Publishers, 2003)

Characteristics of the annihilation of positrons in nanosized metal coatings Zr/Nb after He+ ION irradiation; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
по: Lomygin A. D. Anton Dmitrievich
Опубликовано: (2022)

Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
по: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Опубликовано: (2015)

Comparison of monocrystalline and polycrystalline solar cells; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
по: Игнатенко М. А.
Опубликовано: (2017)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
по: Yudelevich I. G.
Опубликовано: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interfaces
Опубликовано: (New York, Plenum Press, 1985)

Non-Equilibrium Dynamics of Semiconductors and Nanostructures
Опубликовано: (London, Taylor & Francis, 2006)

On the radiationless decay of a direct exciton in an indirect gap semiconductor; Вестник Томского государственного педагогического университета; № 8
по: Tyuterev V. G.
Опубликовано: (2011)

Semiconductor Nanomaterials for Flexible Technologies: From Photovoltaics and Electronics to Sensors and Energy Storage/Harvesting Devices
Опубликовано: (Amsterdam, Elsevier, 2010)

Effect of grinding and subsequent thermal annealing on phase composition of subsurface layers of zirconia ceramics; Ceramics International; Vol. 44, iss. 2
по: Frangulyan (Franguljyan) Т. S. Tamara Semenovna
Опубликовано: (2018)

Positron Spectroscopy of Free Volume in Poly(vinylidene fluoride) after Helium Ions Irradiation; Chinese Journal of Polymer Science; Vol. 37, No. 5
по: Lyu Jinzhe
Опубликовано: (2019)