Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
| Parent link: | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials.— 2015.— [012008, 6 p.] |
|---|---|
| Main Author: | Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich |
| Corporate Authors: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |
| Other Authors: | Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna |
| Summary: | Title screen Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания. Radiation exposure causes degradation of semiconductors' structures as well as different semiconductors based on these structures. The purpose of the research work is to study transitions in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation Objects of the research are 590 nm and 630 nm LEDs based on AlGaInP heterostructures. It is proved that LEDs′ radiant power decrease occurs within three periods: during the first period radiant power decrease is caused by radiation stimulated structural adjustment of a primary defect structure; during the second period the decrease is results from radiative defects introduction; with further enhancement of radiation exposure the second period develops into the third period, where LEDs evolves into the mode of electrons low injection into an active region. Empirical relations explain radiant power changes within each period are presented. Region of transitions between the first and the second periods that cause radiant power partial recovery are specified. Transitions occur both directly and indirectly for heterostructures. Potential causes of transitions occurrence are being discussed. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | English |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dx.doi.org/10.1088/1757-899X/81/1/012008 http://earchive.tpu.ru/handle/11683/14689 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642942 |
Similar Items
LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2013)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2013)
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2014)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2014)
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)
Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)
Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)
Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2014)
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2014)
Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2012)
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2012)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 01.04.07
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)
The fast neutron irradiation influence on the AlGaAs IR-LEDs reliability
Published: (2016)
Published: (2016)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Published: (2013)
Published: (2013)
Reliability of LEDs based upon AlGaAs heterostructures: combined influence of fast neutron and operation factors
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)
Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)
Investigation of the resistance of AlGaInP LEDs (λ=630 nm) to irradiation with fast neutrons
Published: (2022)
Published: (2022)
Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
Research on the radiation exposure "memory effects" in AlGaAs heterostructures
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
by: Грушко Н. С.
Published: (2004)
by: Грушко Н. С.
Published: (2004)
Fast neutron activation analysis. Elemental Lfnf Base
by: McKlveen J. W. John W.
Published: (Collingwood, Ann Arbor Science, 1981)
by: McKlveen J. W. John W.
Published: (Collingwood, Ann Arbor Science, 1981)
Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Published: (2004)
Published: (2004)
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)
The Influence of Power Mode on Ir-Leds Resistance to the Irradiation with Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
Исследование стойкости светодиодов на основе гетероструктур AlGaAs к воздействию нейтронного излучения
by: Жамалдинов Ф. Ф.
Published: (2022)
by: Жамалдинов Ф. Ф.
Published: (2022)
Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation
by: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Published: (2014)
by: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Published: (2014)
Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле
by: Серов А. Ю.
Published: (2004)
by: Серов А. Ю.
Published: (2004)
Effect of temperature on resistance of LEDs based on AlGaAs heterostructures to {60}Co gamma radiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2017)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2017)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)
Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах
by: Васько Ф. Т.
Published: (2003)
by: Васько Ф. Т.
Published: (2003)
Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах
by: Горбацевич А. А.
Published: (2003)
by: Горбацевич А. А.
Published: (2003)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников
by: Бактыбаев А. А.
Published: (2016)
by: Бактыбаев А. А.
Published: (2016)
Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
by: Филато Д. О.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
by: Филато Д. О.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2011)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2011)
Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)
Similar Items
-
LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018) -
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016) -
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2013) -
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2014) -
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)