Production of Ultradispersed Crystalline Silicon Carbide by Plasmodynamic Synthesis
| Parent link: | Journal of Superhard Materials.— , 2013 Vol. 35, iss. 3.— 2013.— [P. 137-142] |
|---|---|
| Körperschaft: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП) |
| Weitere Verfasser: | Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich, Nikitin D. S., Pak A. Ya. Aleksandr Yakovlevich, Rakhmatullin I. A. Ilyas Aminovich |
| Zusammenfassung: | Title screen The direct plasmodynamic synthesis of β-SiC ultradispersed cubic silicon carbide under the action of supersonic pulse flow of carbon-silicon electric-discharge plasma onto a copper barrier in the argon atmosphere has been realized. A powdered product with a high β-SiC content has been obtained, whose single crystals have a mean size of about 100 nm and natural crystallographic habit close to the ideal one Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | http://link.springer.com/article/10.3103/S1063457613030027 |
| Format: | Elektronisch Buchkapitel |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642784 |
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