Production of Ultradispersed Crystalline Silicon Carbide by Plasmodynamic Synthesis; Journal of Superhard Materials; Vol. 35, iss. 3

Бібліографічні деталі
Parent link:	Journal of Superhard Materials.— , 2013 Vol. 35, iss. 3.— 2013.— [P. 137-142]
Співавтор:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
Інші автори:	Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich, Nikitin D. S., Pak A. Ya. Aleksandr Yakovlevich, Rakhmatullin I. A. Ilyas Aminovich
Резюме:	Title screen The direct plasmodynamic synthesis of β-SiC ultradispersed cubic silicon carbide under the action of supersonic pulse flow of carbon-silicon electric-discharge plasma onto a copper barrier in the argon atmosphere has been realized. A powdered product with a high β-SiC content has been obtained, whose single crystals have a mean size of about 100 nm and natural crystallographic habit close to the ideal one Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Мова:	Англійська
Опубліковано:	2013
Предмети:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Онлайн доступ:	http://link.springer.com/article/10.3103/S1063457613030027
Формат:	Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642784

Інтернет