Production of Ultradispersed Crystalline Silicon Carbide by Plasmodynamic Synthesis; Journal of Superhard Materials; Vol. 35, iss. 3

Dades bibliogràfiques
Parent link:Journal of Superhard Materials.— , 2013
Vol. 35, iss. 3.— 2013.— [P. 137-142]
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)
Altres autors: Sivkov A. A. Aleksandr Anatolyevich, Nikitin D. S., Pak A. Ya. Aleksandr Yakovlevich, Rakhmatullin I. A. Ilyas Aminovich
Sumari:Title screen
The direct plasmodynamic synthesis of β-SiC ultradispersed cubic silicon carbide under the action of supersonic pulse flow of carbon-silicon electric-discharge plasma onto a copper barrier in the argon atmosphere has been realized. A powdered product with a high β-SiC content has been obtained, whose single crystals have a mean size of about 100 nm and natural crystallographic habit close to the ideal one
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:anglès
Publicat: 2013
Matèries:
Accés en línia:http://link.springer.com/article/10.3103/S1063457613030027
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642784

MARC

LEADER 00000nla0a2200000 4500
001 642784
005 20250210144341.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\7749 
035 |a RU\TPU\network\1099 
090 |a 642784 
100 |a 20150810d2013 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a US 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Production of Ultradispersed Crystalline Silicon Carbide by Plasmodynamic Synthesis   |f A. A. Sivkov [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
330 |a The direct plasmodynamic synthesis of β-SiC ultradispersed cubic silicon carbide under the action of supersonic pulse flow of carbon-silicon electric-discharge plasma onto a copper barrier in the argon atmosphere has been realized. A powdered product with a high β-SiC content has been obtained, whose single crystals have a mean size of about 100 nm and natural crystallographic habit close to the ideal one 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Journal of Superhard Materials  |d 2013 
463 |t Vol. 35, iss. 3  |v [P. 137-142]  |d 2013 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Sivkov  |b A. A.  |c Specialist in the field of electric power engineering  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1951-  |g Aleksandr Anatolyevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32273  |9 16262 
701 1 |a Nikitin  |b D. S. 
701 1 |a Pak  |b A. Ya.  |c specialist in the field of electrical engineering  |c assistant of Tomsk Polytechnic University  |f 1986-  |g Aleksandr Yakovlevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34120 
701 1 |a Rakhmatullin  |b I. A.  |c specialist in the field of electric power engineering  |c Assistant of Tomsk Polytechnic University  |f 1986-  |g Ilyas Aminovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33004 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Энергетический институт (ЭНИН)  |b Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18676 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150810  |g RCR 
856 4 |u http://link.springer.com/article/10.3103/S1063457613030027 
942 |c CF