|
|
|
|
| LEADER |
00000nam2a2200000 4500 |
| 001 |
64241 |
| 005 |
20231101212122.0 |
| 010 |
|
|
|a 5948360016
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\68181
|
| 090 |
|
|
|a 64241
|
| 100 |
|
|
|a 20040528d2002 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a y z 000zy
|
| 200 |
0 |
|
|a Ч. 1
|
| 210 |
|
|
|d 2002
|
| 215 |
|
|
|a 413 с.
|
| 461 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\68552
|t Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
|o В 2 ч.
|f Г. Я. Красников
|v Ч. 1
|d 2002
|
| 606 |
1 |
|
|a Транзисторы
|x Триоды
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\61274
|9 78476
|
| 610 |
1 |
|
|a субмикронные МОП-транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a короткоканальные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a МОП-транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a масштабирование
|
| 610 |
1 |
|
|a подзатворные диэлектрики
|
| 610 |
1 |
|
|a структура
|
| 610 |
1 |
|
|a технология
|
| 610 |
1 |
|
|a конструкции
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.3
|v 3
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20040528
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130619
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|