Влияние энергетики плазмодинамического синтеза в системе Si-C на фазовый состав и дисперсность продукта; Российские нанотехнологии; Т. 10, № 1-2

Podrobná bibliografie
Parent link:Российские нанотехнологии.— , 2008-.— 1992-7223
Т. 10, № 1-2.— 2015.— [С. 34-39]
Další autoři: Сивков А. А. Александр Анатольевич, Пак А. Я. Александр Яковлевич, Рахматуллин И. А. Ильяс Аминович, Никитин Д. С. Дмитрий Сергеевич
Shrnutí:Заглавие с экрана
Приведены результаты экспериментальных исследований по синтезу и получению ультрадисперсного карбида кремния при воздействии гиперскоростной струи кремний-углеродной электроразрядной плазмы на медную преграду. Методами рентгеновской дифрактометрии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии установлено значительное увеличение содержания в продукте β-фазы SiC до 88 % и среднего размера кристаллитов от ~70 до ~140 нм при росте энергетики процесса от ~10.0 до ~30.0 кДж.
The results of experimental studies on the ultradispersed silicon carbide synthesis and production at hypervelocity silicon-carbon plasma jet influenced on a copper barrier are presented. A significant increase of β-SiC content to 88 % and average crystallite size from ~70 to ~140 nm was found by XRD, SEM and TEM for the energy growth from ~10.0 to ~30.0 kJ.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:ruština
Vydáno: 2015
Témata:
On-line přístup:http://elibrary.ru/item.asp?id=23251928
Médium: MixedMaterials Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642320

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 642320
005 20251206185940.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\7276 
035 |a RU\TPU\network\2782 
090 |a 642320 
100 |a 20150622d2015 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Влияние энергетики плазмодинамического синтеза в системе Si-C на фазовый состав и дисперсность продукта   |d Influence of Plasmodynamic Synthesis Energy in Si-C System on the Product Phase Composition and Dispersion   |f А. А. Сивков [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 39 (16 назв.)] 
330 |a Приведены результаты экспериментальных исследований по синтезу и получению ультрадисперсного карбида кремния при воздействии гиперскоростной струи кремний-углеродной электроразрядной плазмы на медную преграду. Методами рентгеновской дифрактометрии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии установлено значительное увеличение содержания в продукте β-фазы SiC до 88 % и среднего размера кристаллитов от ~70 до ~140 нм при росте энергетики процесса от ~10.0 до ~30.0 кДж. 
330 |a The results of experimental studies on the ultradispersed silicon carbide synthesis and production at hypervelocity silicon-carbon plasma jet influenced on a copper barrier are presented. A significant increase of β-SiC content to 88 % and average crystallite size from ~70 to ~140 nm was found by XRD, SEM and TEM for the energy growth from ~10.0 to ~30.0 kJ. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\prd\57146  |x 1992-7223  |t Российские нанотехнологии  |d 2008- 
463 |t Т. 10, № 1-2  |v [С. 34-39]  |d 2015 
510 1 |a Influence of Plasmodynamic Synthesis Energy in Si-C System on the Product Phase Composition and Dispersion  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Сивков  |b А. А.  |c специалист в области электроэнергетики  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1951-  |g Александр Анатольевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26846  |9 12465 
701 1 |a Пак  |b А. Я.  |c специалист в области электротехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1986-  |g Александр Яковлевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30051  |9 14481 
701 1 |a Рахматуллин  |b И. А.  |c специалист в области электроэнергетики  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат наук  |f 1986-  |g Ильяс Аминович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30168  |9 14566 
701 1 |a Никитин  |b Д. С.  |c специалист в области электроэнергетики  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1991-  |g Дмитрий Сергеевич  |9 18776 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20191118  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=23251928  |z http://elibrary.ru/item.asp?id=23251928 
942 |c CF