Влияние энергетики плазмодинамического синтеза в системе Si-C на фазовый состав и дисперсность продукта
| Parent link: | Российские нанотехнологии.— , 2008-.— 1992-7223 Т. 10, № 1-2.— 2015.— [С. 34-39] |
|---|---|
| Other Authors: | , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Приведены результаты экспериментальных исследований по синтезу и получению ультрадисперсного карбида кремния при воздействии гиперскоростной струи кремний-углеродной электроразрядной плазмы на медную преграду. Методами рентгеновской дифрактометрии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии установлено значительное увеличение содержания в продукте β-фазы SiC до 88 % и среднего размера кристаллитов от ~70 до ~140 нм при росте энергетики процесса от ~10.0 до ~30.0 кДж. The results of experimental studies on the ultradispersed silicon carbide synthesis and production at hypervelocity silicon-carbon plasma jet influenced on a copper barrier are presented. A significant increase of β-SiC content to 88 % and average crystallite size from ~70 to ~140 nm was found by XRD, SEM and TEM for the energy growth from ~10.0 to ~30.0 kJ. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2015
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=23251928 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642320 |
| Summary: | Заглавие с экрана Приведены результаты экспериментальных исследований по синтезу и получению ультрадисперсного карбида кремния при воздействии гиперскоростной струи кремний-углеродной электроразрядной плазмы на медную преграду. Методами рентгеновской дифрактометрии, сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии установлено значительное увеличение содержания в продукте β-фазы SiC до 88 % и среднего размера кристаллитов от ~70 до ~140 нм при росте энергетики процесса от ~10.0 до ~30.0 кДж. The results of experimental studies on the ultradispersed silicon carbide synthesis and production at hypervelocity silicon-carbon plasma jet influenced on a copper barrier are presented. A significant increase of β-SiC content to 88 % and average crystallite size from ~70 to ~140 nm was found by XRD, SEM and TEM for the energy growth from ~10.0 to ~30.0 kJ. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|