Осевое и плоскостное каналирование 20-33 МэВ электронов в кремниевых подложках многослойных структур; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11/2 (тематический выпуск)

Осевое и плоскостное каналирование 20-33 МэВ электронов в кремниевых подложках многослойных структур; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 11/2 (тематический выпуск)

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 54, № 11/2 (тематический выпуск).— 2011.— [С. 256-261]
Main Author: Каплин В. В. Валерий Викторович
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ) Международная научно-образовательная лаборатория "Рентгеновская оптика" (МНОЛ РО)
Other Authors: Углов С. Р. Сергей Романович, Воронин А. А.
Summary:Заглавие с экрана
Измерено угловое распределение рентгеновского излучения, генерируемого 20-33 МэВ электронами в 56 мкм монокристаллической пластине Si с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, которая является подложкой многослойного рентгеновского зеркала. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографических плоскостей (111), (110) и оси [001], что обусловлено эффектом каналирования быстрых электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристаллической пластины.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:Russian
Published: 2011
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
каналирование
рентгеновское излучение
электроны
многослойные структуры
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=17394901
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642005

Similar Items

Similar Items