Осевое и плоскостное каналирование 20-33 МэВ электронов в кремниевых подложках многослойных структур

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 54, № 11/2 (тематический выпуск).— 2011.— [С. 256-261]
Κύριος συγγραφέας: Каплин В. В. Валерий Викторович
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ) Международная научно-образовательная лаборатория "Рентгеновская оптика" (МНОЛ РО)
Άλλοι συγγραφείς: Углов С. Р. Сергей Романович, Воронин А. А.
Περίληψη:Заглавие с экрана
Измерено угловое распределение рентгеновского излучения, генерируемого 20-33 МэВ электронами в 56 мкм монокристаллической пластине Si с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, которая является подложкой многослойного рентгеновского зеркала. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографических плоскостей (111), (110) и оси [001], что обусловлено эффектом каналирования быстрых электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристаллической пластины.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Έκδοση: 2011
Θέματα:
Διαθέσιμο Online:http://elibrary.ru/item.asp?id=17394901
Μορφή: Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642005

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 642005
005 20250408095509.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\6936 
035 |a RU\TPU\network\6933 
090 |a 642005 
100 |a 20150611d2011 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Осевое и плоскостное каналирование 20-33 МэВ электронов в кремниевых подложках многослойных структур  |f В. В. Каплин, С. Р. Углов, А. А. Воронин 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 261 (14 назв.)] 
330 |a Измерено угловое распределение рентгеновского излучения, генерируемого 20-33 МэВ электронами в 56 мкм монокристаллической пластине Si с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, которая является подложкой многослойного рентгеновского зеркала. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографических плоскостей (111), (110) и оси [001], что обусловлено эффектом каналирования быстрых электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристаллической пластины. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |d 1957- 
463 |t Т. 54, № 11/2 (тематический выпуск)  |v [С. 256-261]  |d 2011 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a каналирование 
610 1 |a рентгеновское излучение 
610 1 |a электроны 
610 1 |a многослойные структуры 
700 1 |a Каплин  |b В. В.  |c физик  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1947-  |g Валерий Викторович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28141  |9 13099 
701 1 |a Углов  |b С. Р.  |c физик  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1958-  |g Сергей Романович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28130  |9 13088 
701 1 |a Воронин  |b А. А. 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ)  |b Международная научно-образовательная лаборатория "Рентгеновская оптика" (МНОЛ РО)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19530 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150615  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=17394901 
942 |c CF