Осевое и плоскостное каналирование 20-33 МэВ электронов в кремниевых подложках многослойных структур
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 54, № 11/2 (тематический выпуск).— 2011.— [С. 256-261] |
|---|---|
| Hlavní autor: | |
| Korporativní autor: | |
| Další autoři: | , |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Измерено угловое распределение рентгеновского излучения, генерируемого 20-33 МэВ электронами в 56 мкм монокристаллической пластине Si с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, которая является подложкой многослойного рентгеновского зеркала. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографических плоскостей (111), (110) и оси [001], что обусловлено эффектом каналирования быстрых электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристаллической пластины. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Vydáno: |
2011
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://elibrary.ru/item.asp?id=17394901 |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642005 |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Измерено угловое распределение рентгеновского излучения, генерируемого 20-33 МэВ электронами в 56 мкм монокристаллической пластине Si с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, которая является подложкой многослойного рентгеновского зеркала. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографических плоскостей (111), (110) и оси [001], что обусловлено эффектом каналирования быстрых электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристаллической пластины. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|