Энергетическая зависимость "картин" излучения от электронов, каналирующих в Si-кристалле

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 55, № 11-2.— 2012.— [С. 161-165]
Main Author:	Каплин В. В. Валерий Викторович
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра прикладной физики (№ 12) (ПФ) Международная научно-образовательная лаборатория "Рентгеновская оптика" (МНОЛ РО)
Other Authors:	Углов С. Р. Сергей Романович
Summary:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования эволюции угловых картин, образованных рентгеновским излучением от электронов, проходящих 56-мкм Si-пластину с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, при изменении энергии электронов в области 20-33 МэВ. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографич. плоскостей (111), (110) и оси [001]. Картина из пятна и лучей, обусловленная эффектом каналирования электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристалла, следует за его наклоном кристалла относительно электронного пучка и изменяется при изменении энергии электронов. Такой сложный "фон", дополнительный к обычному конусу тормозного излучения, необходимо учитывать при исследовании эффектов в генерации рентгеновского излучения в структурах, созданных на кристаллич. подложках. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2012
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ каналирование рентгеновское излучение электроны кристаллы
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=18639643
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642002