Светодиод с CVD-алмазным теплоотводом

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 56, № 8, ч. 3.— 2013.— [С. 169-171]
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1
Other Authors: Вилисов А. А. Анатолий Александрович, Ремнёв (Ремнев) Г. Е. Геннадий Ефимович, Линник С. А. Степан Андреевич, Солдаткин В. С. Василий Сергеевич, Тепляков К. В. Констатин Владимирович
Summary:Заглавие с экрана
Излагаются результаты исследования мощных светодиодов с теплоотводом на основе поликристаллических пленок алмаза. Пленки получены из газовой фазы в CVD-реакторе. Показано, что за счет этого возможно снизить тепловое сопротивление приборов в несколько раз и соответственно повысить их надежность при высоких уровнях накачки.
In work results of research of powerful light-emitting diodes with the heat sink on the basis of polycrystalline films of diamond are stated. Films are received from a gas phase in the CVD reactor. It is shown that at the expense of it it is possible to reduce the thermal resistance of devices several times and, respectively to increase their reliability at high levels of a rating.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2013
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=20687011
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=641963
Description
Summary:Заглавие с экрана
Излагаются результаты исследования мощных светодиодов с теплоотводом на основе поликристаллических пленок алмаза. Пленки получены из газовой фазы в CVD-реакторе. Показано, что за счет этого возможно снизить тепловое сопротивление приборов в несколько раз и соответственно повысить их надежность при высоких уровнях накачки.
In work results of research of powerful light-emitting diodes with the heat sink on the basis of polycrystalline films of diamond are stated. Films are received from a gas phase in the CVD reactor. It is shown that at the expense of it it is possible to reduce the thermal resistance of devices several times and, respectively to increase their reliability at high levels of a rating.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса