Investigation of the morphology and elemental composition of the silicon-containing calcium phosphate coating treated by intensive pulsed electron beam; The 9th International Forum on Strategic Techology (IFOST-2014), September 21-23, 2014, Cox's Bazar, Bangladesh

Bibliografski detalji
Parent link:The 9th International Forum on Strategic Techology (IFOST-2014), September 21-23, 2014, Cox's Bazar, Bangladesh.— 2014.— [3 p.]
Autori kompanije: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт кибернетики (ИК) Кафедра иностранных языков института кибернетики (ИЯИК), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ) Центр технологий (ЦТ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра сильноточной электроники (СЭ)
Daljnji autori: Chudinova A. I. Alena Igorevna, Surmeneva (Ryabtseva) M. A. Maria Alexandrovna, Grubova I. Yu. Irina Yurievna, Pryamushko T. S. Tatiana Sergeevna, Pushilina N. S. Natalia Sergeevna, Teresov A. D., Koval N. N. Nikolay Nikolaevich, Prymak O., Epple M., Surmenev R. A. Roman Anatolievich
Sažetak:Title screen
The surface of titanium substrate with calcium phosphate (CaP) coating prepared by RF magnetron sputtering was treated by a pulsed electron beam with an energy density of 0.8 - 8 J/cm{2}. A partial or complete intermixing of the surface layers of the system CaP-titanium was observed. Significant changes in the topography of the formed surfaces were revealed. Treatment conditions with an energy density of 0.8 and 3 J/cm{2} led to the thermal annealing of the coating. The use of beam parameters with an energy density of 6.5 and 8 J/cm{2} led to the partial vaporization and intermixing of the coating with a titanium matrix.
Jezik:engleski
Izdano: 2014
Serija:Civil Engineering, Urban Planning & Architecture
Poster
Teme:
Online pristup:http://180.211.172.109/ifost2014Pro/pdf/S5-P151.pdf
Format: Elektronički Poglavlje knjige
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=641718

MARC

LEADER 00000nla2a2200000 4500
001 641718
005 20250820105757.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\6635 
035 |a RU\TPU\network\6632 
090 |a 641718 
100 |a 20150529d2014 k y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
105 |a a z 101zy 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Investigation of the morphology and elemental composition of the silicon-containing calcium phosphate coating treated by intensive pulsed electron beam  |f A. I. Chudinova [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
225 1 |a Civil Engineering, Urban Planning & Architecture 
225 1 |a Poster 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 8 tit.] 
330 |a The surface of titanium substrate with calcium phosphate (CaP) coating prepared by RF magnetron sputtering was treated by a pulsed electron beam with an energy density of 0.8 - 8 J/cm{2}. A partial or complete intermixing of the surface layers of the system CaP-titanium was observed. Significant changes in the topography of the formed surfaces were revealed. Treatment conditions with an energy density of 0.8 and 3 J/cm{2} led to the thermal annealing of the coating. The use of beam parameters with an energy density of 6.5 and 8 J/cm{2} led to the partial vaporization and intermixing of the coating with a titanium matrix. 
337 |a Adobe Reader 
463 0 |0 (RuTPU)RU\TPU\network\6394  |t The 9th International Forum on Strategic Techology (IFOST-2014), September 21-23, 2014, Cox's Bazar, Bangladesh  |o [proceedings]  |v [3 p.]  |d 2014 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a лечение 
610 1 |a электронные пучки 
610 1 |a фосфат кальция 
610 1 |a распыление 
701 1 |a Chudinova  |b A. I.  |c linguist  |c Senior Lecturer of Tomsk Polytechnic University  |f 1982-  |g Alena Igorevna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31239 
701 1 |a Surmeneva (Ryabtseva)  |b M. A.  |c specialist in the field of material science  |c engineer-researcher of Tomsk Polytechnic University, Associate Scientist  |f 1984-  |g Maria Alexandrovna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31894 
701 1 |a Grubova  |b I. Yu.  |c physicist  |c engineer-researcher of Tomsk Polytechnic Universit  |f 1989-  |g Irina Yurievna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32674  |9 16573 
701 1 |a Pryamushko  |b T. S.  |c physicist  |c laboratory assistant of Tomsk Polytechnic University  |f 1993-  |g Tatiana Sergeevna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34760 
701 1 |a Pushilina  |b N. S.  |c physicist  |c associate Professor of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences  |f 1984-  |g Natalia Sergeevna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30838  |9 15085 
701 1 |a Teresov  |b A. D. 
701 1 |a Koval  |b N. N.  |c specialist in the field of electronics  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1948-  |g Nikolay Nikolaevich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34748 
701 1 |a Prymak  |b O. 
701 1 |a Epple  |b M. 
701 1 |a Surmenev  |b R. A.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Senior researcher, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1982-  |g Roman Anatolievich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31885 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт кибернетики (ИК)  |b Кафедра иностранных языков института кибернетики (ИЯИК)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18707 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |b Центр технологий (ЦТ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\20620 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18726 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра общей физики (ОФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра сильноточной электроники (СЭ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18691 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20161215  |g RCR 
856 4 |u http://180.211.172.109/ifost2014Pro/pdf/S5-P151.pdf 
942 |c CF