Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди

Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди

Détails bibliographiques
Parent link:Физика и техника полупроводников
Т. 44, вып. 1.— 2010.— [С. 118-125]
Autres auteurs: Панин А. В. Алексей Викторович, Шугуров А. Р. Артур Рубинович, Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич, Шестериков Е. В. Евгений Викторович
Résumé:Заглавие с экрана
Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка-(барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu3Si.
Silicide formation in thin copper films subjected tothermal annealing has been studied using atomic force microscopy,scanning electron microscopy, X-ray diffraction andenergy dispersive X-ray spectroscopy. It is shown that periodicalstress distribution developing at the film-barrier layer interfaceunder elevated temperatures can govern the character of coppersilicide formation. The effects of different barrier layers andcrystallographic orientation of the substrate on distribution densityand form of Cu3Si crystallites have been investigated.
Langue:russe
Publié: 2010
Sujets:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Accès en ligne:http://journals.ioffe.ru/ftp/2010/01/page-118.html.ru
Format: Électronique Chapitre de livre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=641514

Documents similaires

Documents similaires