Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди; Физика и техника полупроводников; Т. 44, вып. 1
| Parent link: | Физика и техника полупроводников Т. 44, вып. 1.— 2010.— [С. 118-125] |
|---|---|
| Altres autors: | , , , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка-(барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu3Si. Silicide formation in thin copper films subjected tothermal annealing has been studied using atomic force microscopy,scanning electron microscopy, X-ray diffraction andenergy dispersive X-ray spectroscopy. It is shown that periodicalstress distribution developing at the film-barrier layer interfaceunder elevated temperatures can govern the character of coppersilicide formation. The effects of different barrier layers andcrystallographic orientation of the substrate on distribution densityand form of Cu3Si crystallites have been investigated. |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2010
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://journals.ioffe.ru/ftp/2010/01/page-118.html.ru |
| Format: | MixedMaterials Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=641514 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 641514 | ||
| 005 | 20251206120121.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\6431 | ||
| 090 | |a 641514 | ||
| 100 | |a 20150521d2010 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Роль распределения напряжений на границе раздела пленка-(барьерный подслой) в формировании силицидов меди |d The role of stress distribution at thefilm-barrier layer interface in formationof copper silicides |f А. В. Панин [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 124 (17 назв.)] | ||
| 330 | |a Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка-(барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu3Si. | ||
| 330 | |a Silicide formation in thin copper films subjected tothermal annealing has been studied using atomic force microscopy,scanning electron microscopy, X-ray diffraction andenergy dispersive X-ray spectroscopy. It is shown that periodicalstress distribution developing at the film-barrier layer interfaceunder elevated temperatures can govern the character of coppersilicide formation. The effects of different barrier layers andcrystallographic orientation of the substrate on distribution densityand form of Cu3Si crystallites have been investigated. | ||
| 461 | |t Физика и техника полупроводников | ||
| 463 | |t Т. 44, вып. 1 |v [С. 118-125] |d 2010 | ||
| 510 | 1 | |a The role of stress distribution at thefilm-barrier layer interface in formationof copper silicides |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 701 | 1 | |a Панин |b А. В. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1971- |g Алексей Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31424 |9 15588 | |
| 701 | 1 | |a Шугуров |b А. Р. |c специалист в области материаловедения |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1967- |g Артур Рубинович |y Томск |9 22640 | |
| 701 | 1 | |a Ивонин |b И. В. |g Иван Варфоломеевич | |
| 701 | 1 | |a Шестериков |b Е. В. |c физик |c ведущий инженер Томского политехнического университета |f 1979- |g Евгений Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29431 |9 13984 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150521 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/ftp/2010/01/page-118.html.ru |z http://journals.ioffe.ru/ftp/2010/01/page-118.html.ru | |
| 942 | |c CF | ||