APA (7th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Starenchenko V. A. Vladimir Aleksandrovich, Cherepanov D. N. Dmitry Nikolaevich, Kurinnaya R, Zgolich M, & Selivanikova O. V. Olga Valerievna. (2014). The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals; Advanced Materials Research; Vol. 1013: Structure and Properties of Metals at DifferentEnergy Effects and Treatment Technologies. 2014. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272

Chicago Style (17th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Starenchenko V. A. Vladimir Aleksandrovich, Cherepanov D. N. Dmitry Nikolaevich, Kurinnaya R, Zgolich M, and Selivanikova O. V. Olga Valerievna. The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals; Advanced Materials Research; Vol. 1013: Structure and Properties of Metals at DifferentEnergy Effects and Treatment Technologies. 2014, 2014. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272.

MLA (9th ed.) Citation

Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), et al. The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals; Advanced Materials Research; Vol. 1013: Structure and Properties of Metals at DifferentEnergy Effects and Treatment Technologies. 2014, 2014. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272.