Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Starenchenko V. A. Vladimir Aleksandrovich, Cherepanov D. N. Dmitry Nikolaevich, Kurinnaya R, Zgolich M, & Selivanikova O. V. Olga Valerievna. (2014). The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals. 2014. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272
Cita Chicago (17th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), Starenchenko V. A. Vladimir Aleksandrovich, Cherepanov D. N. Dmitry Nikolaevich, Kurinnaya R, Zgolich M, i Selivanikova O. V. Olga Valerievna. The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals. 2014, 2014. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272.
Cita MLA (9th ed.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра физико-энергетических установок (№ 21) (ФЭУ), et al. The Influence of Dislocation Junctions on Accumulation of Dislocations in Strained FCC – Single Crystals. 2014, 2014. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.1013.272.